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MXSMLJ160AE3TR

3000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：Microsemi

厂商官网：https://www.microsemi.com

器件标准：  

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参数
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Microsemi
零件包装代码
DO-214AB
包装说明
R-PDSO-C2
针数
2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最大击穿电压
197 V
最小击穿电压
178 V
击穿电压标称值
187.5 V
最大钳位电压
259 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码
DO-214AB
JESD-30 代码
R-PDSO-C2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
最大非重复峰值反向功率耗散
3000 W
元件数量
1
端子数量
2
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
1.61 W
认证状态
Not Qualified
参考标准
MIL-19500
最大重复峰值反向电压
160 V
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
C BEND
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
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