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NAND01GR4M5CZB5E

256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
Reach Compliance Code
unknow
JESD-30 代码
R-PBGA-B149
内存集成电路类型
MEMORY CIRCUIT
混合内存类型
FLASH+SDRAM
端子数量
149
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-30 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
FBGA
封装等效代码
BGA149,12X16,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, FINE PITCH
电源
1.8 V
认证状态
Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
温度等级
OTHER
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
Base Number Matches
1
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