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NAND08GR3B2CZB1E

1GX8 FLASH 1.8V PROM, 25000ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM,1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ST(意法半导体)
零件包装代码
BGA
包装说明
TFBGA,
针数
63
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.1.A
最长访问时间
25000 ns
JESD-30 代码
R-PBGA-B63
JESD-609代码
e1
长度
12 mm
内存密度
8589934592 bit
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
63
字数
1073741824 words
字数代码
1000000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1GX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
编程电压
1.8 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)
1.95 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
9.5 mm
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