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NAND08GR3B3BZC6F

1GX8 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, LFBGA-63

器件类别：存储存储

厂商名称：ST(意法半导体)

厂商官网：http://www.st.com/

器件标准： Rohs认证

参数

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

符合

厂商名称

ST(意法半导体)

零件包装代码

BGA

包装说明

LFBGA,

针数

63

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

3A991.B.1.A

最长访问时间

35 ns

JESD-30 代码

R-PBGA-B63

JESD-609代码

e1

长度

15 mm

内存密度

8589934592 bit

内存集成电路类型

FLASH

内存宽度

8

功能数量

1

端子数量

63

字数

1073741824 words

字数代码

1000000000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

组织

1GX8

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

LFBGA

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH

并行/串行

PARALLEL

峰值回流温度（摄氏度）

260

编程电压

1.8 V

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

1.4 mm

最大供电电压 (Vsup)

1.95 V

最小供电电压 (Vsup)

1.7 V

标称供电电压 (Vsup)

1.8 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

INDUSTRIAL

端子面层

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子形式

BALL

端子节距

0.8 mm

端子位置

BOTTOM

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

宽度

8.5 mm

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