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NAND128W3A2BV6E

32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
32M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 35 ns, PDSO48

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ST(意法半导体)
零件包装代码
SOIC
包装说明
12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48
针数
48
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
3A991.B.1.A
最长访问时间
12000 ns
命令用户界面
YES
数据轮询
NO
JESD-30 代码
R-PDSO-G48
长度
15.4 mm
内存密度
134217728 bi
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
8
功能数量
1
部门数/规模
1K
端子数量
48
字数
16777216 words
字数代码
16000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
16MX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
VSSOP
封装等效代码
TSSOP48,.71,20
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小
512 words
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
3/3.3 V
编程电压
3 V
认证状态
Not Qualified
就绪/忙碌
YES
座面最大高度
0.65 mm
部门规模
16K
最大待机电流
0.00005 A
最大压摆率
0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
2.7 V
标称供电电压 (Vsup)
3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
GULL WING
端子节距
0.5 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
切换位
NO
类型
SLC NAND TYPE
宽度
12 mm
热门器件
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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