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NAND512W4A0BZA1E

Flash, 32MX16, 35ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Numonyx ( Micron )

厂商官网:https://www.micron.com

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Numonyx ( Micron )
零件包装代码
BGA
包装说明
TFBGA,
针数
63
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
3A991.B.1.A
最长访问时间
35 ns
JESD-30 代码
R-PBGA-B63
长度
11 mm
内存密度
536870912 bit
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
16
功能数量
1
端子数量
63
字数
33554432 words
字数代码
32000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
32MX16
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
编程电压
3 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.05 mm
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
2.7 V
标称供电电压 (Vsup)
3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
类型
SLC NAND TYPE
宽度
9 mm
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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