漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,30V,10A,12毫欧低阻款
器件类别:分立半导体 MOS(场效应管)
厂商名称:Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
厂商官网:http://www.ncepower.com/