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31 A, 55 V, 0.06 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
31 A, 55 V, 0.06 ohm, P沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB
厂商名称：Kersemi Electronic
厂商官网：http://www.kersemi.com
下载文档| 型号 | NFT6003 | IRF5305 |
|---|---|---|
| 描述 | 31 A, 55 V, 0.06 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 31 A, 55 V, 0.06 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 最小击穿电压 | 55 V | 55 V |
| 加工封装描述 | TO-220AB, 3 PIN | TO-220AB, 3 PIN |
| 状态 | DISCONTINUED | DISCONTINUED |
| 包装形状 | 矩形的 | 矩形的 |
| 包装尺寸 | 凸缘安装 | 凸缘安装 |
| 端子形式 | THROUGH-孔 | THROUGH-孔 |
| 端子涂层 | 锡 铅 | 锡 铅 |
| 端子位置 | 单一的 | 单一的 |
| 包装材料 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 |
| 结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
| 壳体连接 | DRAIN | DRAIN |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 晶体管应用 | 开关 | 开关 |
| 晶体管元件材料 | 硅 | 硅 |
| 通道类型 | P沟道 | P沟道 |
| 场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 操作模式 | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT |
| 晶体管类型 | 通用电源 | 通用电源 |
| 最大漏电流 | 31 A | 31 A |
| 额定雪崩能量 | 280 mJ | 280 mJ |
| 最大漏极导通电阻 | 0.0600 ohm | 0.0600 ohm |
| 最大漏电流脉冲 | 110 A | 110 A |