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NJM412M

Operational Amplifier, 2 Func, 2000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8, DMP-8

器件类别:模拟混合信号IC    放大器电路   

厂商名称:New Japan Radio Co Ltd

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
SOIC
包装说明
DMP-8
针数
8
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)
0.0002 µA
标称共模抑制比
100 dB
最大输入失调电压
2000 µV
JESD-30 代码
S-PDSO-G8
JESD-609代码
e6
长度
5 mm
负供电电压上限
-18 V
标称负供电电压 (Vsup)
-15 V
功能数量
2
端子数量
8
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装形状
SQUARE
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
2 mm
标称压摆率
15 V/us
供电电压上限
18 V
标称供电电压 (Vsup)
15 V
表面贴装
YES
技术
BIPOLAR
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
TIN BISMUTH
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽
4000 kHz
宽度
5 mm
Base Number Matches
1
文档预览
Preliminary
Low Offset, Low Drift Dual JFET Input
Operational Amplifier
NJM412
GENERAL DESCRIPTION
The NJM412 is a dual, precision JFET input operational
amplifier, which is wide operating voltage range
±5V
to
±16V
and
high input impedance. Internal trimming provides low input offset
voltage as 0.8mV (typ.) and 2mV (max.) and low offset voltage
drift as 7µV/°C (typ.) and 20µV/°C (max.). In addition, with a slew
rate of 15V/µs and a bias current of 200pA (max.), the NJM412 is
suitable for high-speed integrators, D/A converters, sample & hold
circuits and high-speed buffers.
PACKAGE OUTLINE
NJM412D
NJM412M
FEATURES
●Operating
Voltage
●Low
Offset Voltage
●Low
Offset Voltage Drift
●Input
Bias Current
●Voltage
Gain
●Slew
Rate
●Bipolar
Technology
●Package
Outline
V
opr
=
±5V
to
±16V
V
IO
=0.8mV typ. 2mV max.
∆V
IO
/∆T=7µV/°C typ. 20µV/°C max.
I
B
=50pA typ. 200pA max. @Ta=25 °C
Av=106dB typ
SR=15.0V/µs typ.
NJM412D : DIP8
NJM412M : DMP8
PIN CONFIGURATION
PIN FUNCTION
1
2
3
4
8
-+
+ -
7
6
5
NJM412D / M
1. A OUTPUT
2. A -INPUT
3. A +INPUT
4. V-
5. B +INPUT
6. B -INPUT
7. B OUTPUT
8.V+
Ver.2006-07-05
-1-
NJM412
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Supply Voltage
Differential Input Voltage
Common Mode Input Voltage
Power Dissipation
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
Preliminary
SYMBOL
V /V
V
ID
V
ICM
P
D
T
opr
T
stg
+
-
RATING
UNIT
V
V
V
mW
(DIP8) 500
(DMP8) 300
-40 to +85
-50 to +150
±
15(Note1)
±
18
±
30
°C
°C
(Note 1) For supply Voltages less than±15 V, the maximum input voltage is equal to the Supply Voltage.
RECOMMENDED OPERATING CONDITION
PARAMETER
Supply Voltage
SYMBOL
V /V
+
-
(Ta=25°C)
RATING
±5
to
±16
UNIT
V
ELECTRIC CHARACTERISTICS
DC CHARACTERISTICS
PARAMETER
Operating Current
Input Offset Voltage
Input Offset Voltage Drift
Input Bias Current 1
Input Bias Current2
Input Offset Current 1
Input Offset Current 2
Voltage Gain1
Voltage Gain2
Common Mode Rejection Ratio1
Supply Voltage Rejection Ratio1
Max Output Voltage 1
Input Common Mode Voltage Range
o
(V
+
/V
-
=±15V, Ta= -40~85˚C(Note2))
SYMBOL
I
cc
V
IO
V
I O
/∆t
I
B1
I
B2
I
I O1
I
I O2
A
V1
A
V2
CMR1
SVR1
V
OM
V
ICM
+
TEST CONDITION
R
L
=∞, No Signal
Rs≤10kΩ, Ta=25°C
Rs≤10kΩ,
Ta=-40~85
˚
C (Note3)
Ta=25
°C
Ta=85
°C
Ta=25
°C
Ta=85
°C
R
L
≥2kΩ,
V
o
=±10V, Ta=25
°C
R
L
≥2kΩ,
V
o
=±10V
V
I C M
=±11V,
V /V =±5.0 to
±16.0V
R
L
≥10kΩ
CMR≥70dB
-
MIN
-
-
-
-
-
-
-
88
82
70
70
±12
±11
TYP
4.0
0.8
7
50
-
25
-
106
106
100
100
±13.5
±11.5
MAX
6.5
2.0
20
200
4
100
2
-
-
UNIT
mA
mV
µV/°C
pA
nA
pA
nA
dB
dB
dB
-
-
-
dB
V
V
(Note2) Tested Ta=-40, +25, +85 C.
(Note3) Calculated from the offset voltage at Ta=-40, +25, +85
˚
C.
AC CHARACTERISTICS
PARAMETER
Gain Bandwidth Product
Phase Margin
Equivalent Input Noise Voltage
Total Harmonic Distortion
(V
+
/V
-
=±15V, Ta= 25˚C)
SYMBOL
GB
Φ
M
V
NI
THD
TEST CONDITION
f=10kHz, R
L
=10kΩ
R
L
=10kΩ, C
L
=10pF
f=1kHz
f=1kHz,Av=+10,
R
L
=10kΩ, Vo=5Vrms
MIN
-
-
-
-
TYP
4
60
25
0.02
MAX
-
-
-
-
UNIT
MHz
deg
nV/√Hz
%
TRANSIENT CHARACTERISTICS
PARAMETER
Slew Rate
(V
+
/V
-
=±15V, Ta= 25˚C)
TEST CONDITION
A
V
=1, V
I N
=2V
PP
,
R
L
=10kΩ, C
L
=10pF
MIN
8
TYP
15
MAX
-
UNIT
V/µs
SYMBOL
SR
-2-
Ver.2006-07-05
Preliminary
MEMO
NJM412
[CAUTION]
The specifications on this data book are only
Given for information, without any guarantee
as regards either mistakes or omissions. The
application circuits in this data book are
described only to show representative usages
of the product and not intended for the
guarantee or permission of any right including
the industrial rights.
Ver.2006-07-05
-3-
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参数对比
与NJM412M相近的元器件有:NJM412D。描述及对比如下:
型号 NJM412M NJM412D
描述 Operational Amplifier, 2 Func, 2000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8, DMP-8 Operational Amplifier, 2 Func, 2000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP8, DIP-8
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 SOIC DIP
包装说明 DMP-8 DIP-8
针数 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB) 0.0002 µA 0.0002 µA
标称共模抑制比 100 dB 100 dB
最大输入失调电压 2000 µV 2000 µV
JESD-30 代码 S-PDSO-G8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e6 e6
长度 5 mm 8.8 mm
负供电电压上限 -18 V -18 V
标称负供电电压 (Vsup) -15 V -15 V
功能数量 2 2
端子数量 8 8
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP
封装形状 SQUARE RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2 mm 4.7 mm
标称压摆率 15 V/us 15 V/us
供电电压上限 18 V 18 V
标称供电电压 (Vsup) 15 V 15 V
表面贴装 YES NO
技术 BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 TIN BISMUTH TIN BISMUTH
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 4000 kHz 4000 kHz
宽度 5 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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