NLI110D821KTBF,NLI110D821KTBF pdf中文资料,NLI110D821KTBF引脚图,NLI110D821KTBF电路-Datasheet-电子工程世界

文档预览

NLI Radial Power Inductors

FEATURES

• RADIAL LEADED POWER INDUCTOR

• WIRE WOUND CONSTRUCTION

• WIDE VALUE RANGE 10μH ~ 47,000μH

• AVAILABLE WITH HIGH TEMPERATURE SLEEVE

• NINE CASE SIZES (5.2X6.5mm ~ 14.4X10.5mm)

• AVAILABLE IN BULK OR TAPE & BOX PACKAGING

TWO LEADED PARTS

Case Code

Inductance Range

Ambient Operating Temperature Range

Maximum Component Temperature

(Ambient + Self-Heating)

Temperature Rise at DCI

Inductance Change at DCI

Inductance Tolerance

NLI65D

22μH ~

1,000μH

NLI66D

22μH ~

1,000μH

NLI85D

NLI87D

NLI__D Series

RoHS

Compliant

includes all homogeneous materials

*See Part Number System for Details

NLI89D

10μH ~

47,000μH

NLI114D

6.3μH ~

39,000μH

10μH ~

10,000μH

-20°C ~ +80°C

+120°C

+40°C

-10%

K (±10%), M (±20%)

FOUR LEADED PARTS

Case Code

Inductance Range (μH)

Ambient Operating Temperature Range

Maximum Component Temperature

(Ambient + Self-Heating)

Temperature Rise at DCI

Inductance Change at DCI

Inductance Tolerance

NLI106D

10μH ~

1,000μH

NLI108D

10μH ~

1,000μH

-20°C ~ +80°C

+120°C

+40°C

-10%

K (±10%), M (±20%)

NLI110D

10μH ~

1,000μH

PART NUMBER SYSTEM

NLI 66 D 220 K U TB F

RoHS Compliant

TB = Optional Packaging Tape & Box (blank for bulk packaging)*

U = Optional Black UL +125°C Sleeving (blank for no sleeving)

Inductance Tolerance Code: J = ±5%, K = ±10%, M = ±20%

Inductance Code (μH): 1st two digits are signiﬁcant,

3rd digit is multiplier for values from 10μH and up.

Construction Code (see drawing for details)

Size Code (see table for details)

Series

*Optional Tape & Box packaging not available for case sizes 106, 108 and 110

NIC COMPONENTS CORP.

www.niccomp.com

www.lowESR.com

www.RFpassives.com

www.SMTmagnetics.com

SPECIFICATIONS SUBJECT TO CHANGE

NLI Radial Power Inductors

DIMENSIONS (mm)

Series

NLI65D

NLI66D

NLI85D

NLI87D

NLI89D

NLI114D

NLI106D

NLI108D

NLI110D

A max.

5.2

6.5

5.5

7.5

9.5

14.4

6.5

8.5

10.5

B ± 1.0

4.0

5.0

3.5

S ± 0.5

(Bulk)

4.0

5.0

S ± 0.5

(Tape & Box)

n/a

5.0

n/a

D max.

6.5

8.3

10.5

E ± 0.05

0.50

0.65

0.80

Number of Leads

NLI__D Series

Two Leads

NPI65D

NPI66D

NPI85D

NPI87D

NPI89D

NPI114D

Four Leads

NPI106D

NPI108D

NPI110D

CIRCUIT TYPES

4.0 ±0.5

NPI65D, NPI66D

NPI85D, NPI87D, NPI89D

NPI114D

NPI106D

NPI108D (18μH ~ 1,000μH)

NPI110D (39μH ~ 1,000μH)

NPI108D (10μH ~ 15μH)

NPI110D (10μH ~ 33μH)

NIC COMPONENTS CORP.

www.niccomp.com

www.lowESR.com

www.RFpassives.com

www.SMTmagnetics.com

SPECIFICATIONS SUBJECT TO CHANGE

NLI Radial Power Inductors

Part Number

NLI65D220K _ _ _F

NLI65D270K _ _ _F

NLI65D330K _ _ _F

NLI65D390K _ _ _F

NLI65D470K _ _ _F

NLI65D560K _ _ _F

NLI65D680K _ _ _F

NLI65D820K _ _ _F

NLI65D101K _ _ _F

NLI65D121K _ _ _F

NLI65D151K _ _ _F

NLI65D181K _ _ _F

NLI65D221K _ _ _F

NLI65D271K _ _ _F

NLI65D331K _ _ _F

NLI65D391K _ _ _F

NLI65D471K _ _ _F

NLI65D561K _ _ _F

NLI65D681K _ _ _F

NLI65D821K _ _ _F

NLI65D102K _ _ _F

NPI65D STANDARD VALUES (H = 5.2mm x D = 6.5mm)

Inductance

Test Freq. DCR (Ω) max.

(μH)

Tolerance*

±10%

2.52MHz

0.18

100

120

150

180

220

270

330

390

470

560

680

820

1000

±10%

2.52MHz

1KHz

0.21

0.27

0.29

0.34

0.42

0.48

0.55

0.68

0.77

0.95

1.15

1.30

1.55

2.18

2.47

2.92

3.97

4.57

5.28

7.06

DCI (A) max.

0.90

0.81

0.74

0.68

0.62

0.57

0.51

0.47

0.42

0.39

0.35

0.32

0.29

0.26

0.23

0.21

0.20

0.18

0.16

0.15

0.13

NLI__D Series

DC I maximum

Δ+40°C

temperature rise,

ΔL

-10% max.

* Contact NIC for other tolerance options.

TWO LEADS

CIRCUIT

NIC COMPONENTS CORP.

www.niccomp.com

www.lowESR.com

www.RFpassives.com

www.SMTmagnetics.com

SPECIFICATIONS SUBJECT TO CHANGE

NLI Radial Power Inductors

Part Number

NLI66D220K _ _ _F

NLI66D270K _ _ _F

NLI66D330K _ _ _F

NLI66D390K _ _ _F

NLI66D470K _ _ _F

NLI66D560K _ _ _F

NLI66D680K _ _ _F

NLI66D820K _ _ _F

NLI66D101K _ _ _F

NLI66D121K _ _ _F

NLI66D151K _ _ _F

NLI66D181K _ _ _F

NLI66D221K _ _ _F

NLI66D271K _ _ _F

NLI66D331K _ _ _F

NLI66D391K _ _ _F

NLI66D471K _ _ _F

NLI66D561K _ _ _F

NLI66D681K _ _ _F

NLI66D821K _ _ _F

NLI66D102K _ _ _F

NPI66D STANDARD VALUES (H = 6.5mm x D = 6.5mm)

Inductance

Test Freq. DCR (Ω) max.

(μH)

Tolerance*

±10%

2.52MHz

0.11

100

120

150

180

220

270

330

390

470

560

680

820

1000

±10%

2.52MHz

1KHz

0.14

0.17

0.19

0.23

0.26

0.28

0.39

0.43

0.54

0.64

0.74

0.96

1.12

1.48

1.66

1.91

2.31

2.67

3.10

4.45

DCI (A) max.

1.27

1.14

1.03

0.95

0.87

0.80

0.72

0.66

0.59

0.54

0.48

0.44

0.40

0.36

0.33

0.30

0.28

0.25

0.23

0.21

0.19

NLI__D Series

DC I maximum

Δ+40°C

temperature rise,

ΔL

-10% max.

* Contact NIC for other tolerance options.

TWO LEADS

CIRCUIT

NIC COMPONENTS CORP.

www.niccomp.com

www.lowESR.com

www.RFpassives.com

www.SMTmagnetics.com

SPECIFICATIONS SUBJECT TO CHANGE

NLI Radial Power Inductors

Part Number

NLI85D100M_ _ _F

NLI85D120M_ _ _F

NLI85D150M_ _ _F

NLI85D180M_ _ _F

NLI85D220K_ _ _F

NLI85D270K_ _ _F

NLI85D330K_ _ _F

NLI85D390K_ _ _F

NLI85D470K_ _ _F

NLI85D560K_ _ _F

NLI85D680K_ _ _F

NLI85D820K_ _ _F

NLI85D101K_ _ _F

NLI85D121K_ _ _F

NLI85D151K_ _ _F

NLI85D181K_ _ _F

NLI85D221K_ _ _F

NLI85D271K_ _ _F

NLI85D331K_ _ _F

NLI85D391K_ _ _F

NLI85D471K_ _ _F

NLI85D561K_ _ _F

NLI85D681K_ _ _F

NLI85D821K_ _ _F

NLI85D102K_ _ _F

NLI85D122K_ _ _F

NLI85D152K_ _ _F

NLI85D182K_ _ _F

NLI85D222K_ _ _F

NLI85D272K_ _ _F

NLI85D332K_ _ _F

NLI85D392K_ _ _F

NLI85D472K_ _ _F

NLI85D562K_ _ _F

NLI85D682K_ _ _F

NLI85D822K_ _ _F

NLI85D103K_ _ _F

NPI85D STANDARD VALUES (H = 5.5mm x D = 8.3mm)

Inductance

Test Freq. DCR (Ω) max.

(μH)

Tolerance*

±20%

2.52MHz

0.07

100

120

150

180

220

270

330

390

470

560

680

820

1000

1200

1500

1800

2200

2700

3300

3900

4700

5600

6800

8200

10000

±20%

±10%

2.52MHz

1KHz

0.08

0.09

0.10

0.12

0.14

0.17

0.21

0.24

0.31

0.34

0.40

0.52

0.59

0.71

0.89

1.04

1.28

1.60

1.67

2.55

2.83

3.25

3.82

5.28

6.03

7.15

8.26

11.1

13.1

15.9

18.0

23.9

26.8

36.0

46.5

55.7

DCI (A) max.

2.5

2.4

2.1

2.0

1.7

1.6

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.93

0.81

0.76

0.67

0.62

0.54

0.49

0.44

0.41

0.38

0.35

0.32

0.31

0.25

0.23

0.21

0.20

0.18

0.16

0.14

0.13

0.12

0.11

0.098

0.088

0.081

NLI__D Series

DC I maximum

Δ+40°C

temperature rise,

ΔL

-10% max.

* Contact NIC for other tolerance options.

TWO LEADS

CIRCUIT

NIC COMPONENTS CORP.

www.niccomp.com

www.lowESR.com

www.RFpassives.com

www.SMTmagnetics.com

SPECIFICATIONS SUBJECT TO CHANGE

MSP430单片机技术文章汇总（共457篇）: 从网上搜集的MSP430单片机应用实力文章，共计457篇。该资料已经打包上传到“下载中心”...; tiankai001 微控制器 MCU

wince5.0中,GetServiceHandle函数的使用问题: 为什么我在APP中用GetServiceHandle函数时,不能得到服务程序的句柄呢?返回值是0xf...; fys5627300 WindowsCE

请教proteus8.1虚拟串口与PC串口助手通信奇怪问题: 打开proteus8.1虚拟串口与PC串口助手通信第一次正常，但只要停止仿真，再第二次启动仿真就无法...; hbdg 51单片机

在workbench下cf卡启动的问题: 最近在用cf卡启动目标机,可遇到一个问题,希望各位给点意见,谢谢! 问题如下: Attaching ...; zzp2658 嵌入式系统

印制电路板的可靠性设计-去耦电容配置: 在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，...; JLCS PCB设计

【Follow me第二季第1期】汇总提交帖：全部任务视频及其代码下载: 首先很荣幸参加follow me 第二季第一期的活动，在学习、工作之余有精力和时间去接触Adafr...; 聪聪哥哥 DigiKey得捷技术专区

自动逐日式太阳能小车软硬件方案实现

1.引言： 21世纪最紧缺的便是能源，地球上的石油和煤都在以惊人的速度消耗，作为不可再生能源，他们最终都将被消耗殆尽。因此寻找新的代替能源便成了摆在科学家们面前的新课题。太阳能、核能、风能等新能源中太阳能不但无污染而且储量丰富。地球轨道上的平均太阳辐射强度为1369w/㎡。地球赤道的周长为40000km，从而可计算出，地球获得的能量可达173000TW。尽管太阳辐射到地球大气层的能量仅为其总辐...[详细]
德州仪器：追加120亿美元回购股票

德州仪器周二发布了2018年第三季度财报。财报显示，德州仪器第三季度净利润为15.70亿美元，同比增长22%；营收为42.61亿美元，同比增长4%。在截至9月30日的第三季度，德州仪器的净利润为15.70亿美元，每股收益1.58美元。这一业绩同比增长22%。2017年第三季度，德州仪器的净利润为12.85亿美元，每股收益1.26美元。德州仪器第三季度运营利润为19.37亿美元，比去年...[详细]
Transdev与Delphi合作推自动化运输随选服务

法国运输公司Transdev与美国车用配件制造商Delphi联合发表，宣布将携手开发一套全球通用、全自动化的随选服务运输系统。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。这套系统将于法国诺曼底的鲁昂(Rouen)以及巴黎南郊的巴黎萨克雷(Paris-Saclay)进行实地测试，成为欧盟第一个在开放道路上运行的无人驾驶随选运输服务。 Transdev与Delphi合作推自动化运输随选...[详细]
谷歌Pixel 6A渲染图解密：6.2英寸屏幕，后置双摄

近日，国外爆料者OnLeaks发布了谷歌Pixel 6A的渲染图，据透露这款手机的外观和Pixel 6非常接近，同时尺寸略小。渲染图显示，Pixel 6A外观与标准Pixel 6几乎相同，正面为居中打孔屏，背部同样有突起的长条型黑色相机模组，后置双摄像头，底部仅有一个USB-C接口，3.5mm耳机孔似乎已经被取消。外媒表示，由于没有侧边与后置指纹识别模组的痕迹，其大概率采用了和Pixel...[详细]
永磁同步电机控制系统仿真模型搭建

永磁同步电机电气模型主流的永磁同步电机的电气模型基本上可以分为三大类：基本永磁同步电机模型（Basic PMSM Model，以下简称B_PMSM_M）采用固定的电机参数，电流和磁场是线性关系。饱和永磁同步电机模型（Saturation PMSM Model，以下简称S_PMSM_M）采用变化的电机参数，电流和磁场是非线性饱和关系。谐波永磁同步电机模型（Harmonics PMSM...[详细]
要请郭德纲？李楠：魅蓝新机月底发布

魅蓝事业部总裁李楠发声：“老罗这次在鸟巢搞了这么大一个手笔，这个月其它厂商发布会也很多，所以月底发布会我们要不要请郭德纲呢”。由此看来，魅蓝月底将有一场新品发布会。目前已经有两款魅蓝新机被曝光，其中一款型号为M811Q，如图所示，该机采用了背部指纹识别，是魅蓝首款背部指纹手机。 ↑↑↑M811Q 配置方面，该机采用了5.7英寸1440×720全面屏，CPU主频为1.5GH...[详细]
钮扣测试仪的意义及作用是什么

一、简介： HBJ钮扣测试仪，可配置NK、 HP系列推拉力计和专用夹具，专用于测量钮扣的扣合力或脱离衣物破坏力。检测钮扣、按钮等固定强度是很重要的一项标准，尤其是在婴儿和儿童服装设计及制造中zui为重要。在钮扣固定装饰件上使用一定力的测量需要通过力度仪器来记录。二、目的：上海诚卫仪器科技有限公司HBJ钮扣测试仪的测试目的是界定成衣制造商的责任以保证钮扣、按钮及固定件能适当地固定在成衣...[详细]
红外光谱仪器的基本构成及工作原理

　　一.仪器的基本构成　　1.光源　　光源能发射出稳定、高强度、连续波长的红外光，通常使用能斯特(Nernst)灯、碳化硅或涂有稀土化合物的镍铬旋状灯丝。　　2.干涉仪　　迈克耳孙(Michelson)干涉仪的作用是将复色光变为干涉光。中红外干涉仪中的分束器主要是由溴化钾材料制成的;近红外分束器一般以石英和CaF2为材料;远红外分束器一般由Mylar膜和网格固体材料制成。　　3...[详细]
2013年面板行业十大热门事件

2013年，对于面板行业来说是热闹的一年。国内液晶面板制造大鳄京东方通过了"A股最大规模"460亿元再融资，TCL也宣布总投资244亿元"加码"华星光电二期项目，两者均投向了液晶面板生产线，而中国也终于实现了OLED面板的首产…纵观全球，液晶面板出货量在不断衰退，而中国的液晶面板产业正逆势崛起。但是伴随着面板不断扩产，需求相对不足，国内面板行业的竞争也再不断地加剧，各种乱象也不断涌现，专利...[详细]
新型热光伏电池效率可达40% 未来有望实现零碳电网

中国储能网讯：据报道，来自麻省理工学院和美国国家可再生能源实验室（NREL）的研究团队已成功开发并展示了一种热光伏（TPV）电池，它能够比传统的蒸汽涡轮机更有效地将热量转化为电能，而且成本很低。这对未来的发电站和电网储能都有巨大的影响。热光伏（TPV）主要通过光伏效应将红外波长的光转换为电能，并且可以实现能量存储和转换的方法。研究人员计划将这种 TPV 电池整合到电网规模的热电池...[详细]
行业大咖关于精准医疗的18个观点

中国康复技术转化及发展促进会精准医学与肿瘤康复专业委员会主办的精准医疗产业化探讨沙龙活动于5月26日下午在北京市朝阳区无界空间（望京）举行。　　本次沙龙邀请了中组部“千人计划”专家周晓光教授，中源协和首席医疗官，天津“创新千人计划”专家李宏涛博士，君联资本董事总经理蔡大庆，华生恒业董事长饶江及知名企业人士共同参与本次活动，聚焦精准医疗产业化发展路径的问题。　　中国康复技术转化及发...[详细]
单片机IO口的结构

上节课我们提到了单片机 IO 口的其中一种“准双向 IO”的内部结构，实际上我们的单片机 IO 口还有另外三种状态，分别是开漏、推挽、高阻态，我们通过图 9-1 来分析下另外这三种状态。图 9-1 单片机 IO 结构示意图前边我们简单介绍“准双向 IO”的时候，我们是用三极管来说明的，出于严谨的态度，我们这里按照实际情况用 MOS 管画图示意。实际上三极管是靠电流导通的，而 MOS 管是...[详细]
三星推出智能家庭护理服务，可通过手机远程照看老人

8 月 15 日消息，随着医疗技术的进步，人类寿命不断延长。然而，人口老龄化也带来了新的挑战。许多成年人承担起了照顾老年亲属的责任。为了应对这一需求，三星在美国推出了智能家庭护理服务（SmartThings Family Care）。据了解，该服务旨在为家庭护理者提供一站式解决方案。用户可以利用该服务设置老年人的服药、检查等日程安排，甚至还能收到提醒，及时安排下一次的医生预约。此外，系统还...[详细]
福特在欧洲公布高分辨率投射大灯技术

日前，福特在欧洲公布了最新的高分辨率投射大灯技术。利用该技术，车辆不但可以将部分行车、道路信息投射到车辆前方的道路上，同时，这项技术还可以与车内的导航系统相结合，在车辆即将经过部分特殊路段或车辆转向时，配合导航将关键信息投射到路面上，提示驾驶员和过往的司机注意。福特高分辨率投射大灯技术作为福特品牌先锋创新精神的一部分，福特在汽车灯光科技领域始终处于创新前沿，不但在汽车工业史上率...[详细]
MACOM获得美国防部资助开发GaN-on-SiC产品

2024年11月4日，MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.（MACOM）宣布，公司已被选中领导一项由美国国防部（DoD）资助的开发项目，旨在推进射频（RF）和微波应用领域的先进氮化镓（GaN）碳化硅（SiC）半导体技术。此项目将重点开发基于GaN材料的单片微波集成电路（MMIC）半导体制造工艺，以提升高压和毫米波（mmW）频率下的高效运行能力。 ...[详细]