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NM24C08FLN

1KX8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

敬请期待
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP8,.3
针数
8
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
其他特性
16 BYTE PAGE WRITE; WRITE PROTECT; DATA RETENTION>40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)
0.4 MHz
数据保留时间-最小值
40
耐久性
1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节
1010DMMR
JESD-30 代码
R-PDIP-T8
JESD-609代码
e0
长度
9.817 mm
内存密度
8192 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
8
字数
1024 words
字数代码
1000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1KX8
输出特性
OPEN-DRAIN
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
SERIAL
电源
3/5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.08 mm
串行总线类型
I2C
最大待机电流
0.00001 A
最大压摆率
0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
2.7 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)
15 ms
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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