NM93CS56LEM,NM93CS56LEM pdf中文资料,NM93CS56LEM引脚图,NM93CS56LEM电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与NM93CS56LEM相近的元器件有：NM93CS66LM、NM93CS06LEM、NM93CS46LM、NM93CS66LEM、NM93CS46LEM、NM93CS56LM、NM93CS06LM。描述及对比如下：

型号	NM93CS56LEM	NM93CS66LM	NM93CS06LEM	NM93CS46LM	NM93CS66LEM	NM93CS46LEM	NM93CS56LM	NM93CS06LM
描述	128X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, SOIC-14	256X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, SOIC-14	16X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, SOIC-14	IC 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, SOIC-14, Programmable ROM	256X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, SOIC-14	64X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, SOIC-14	128X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, SOIC-14	16X16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO14, SOIC-14
零件包装代码	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC
包装说明	SOP,	SOP,	SOP,	SOP,	SOP,	SOP,	SOP,	SOP,
针数	14	14	14	14	14	14	14	14
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	MICROWIRE BUS INTERFACE; 2.0V READ; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION = 40 YEARS	MICROWIRE BUS INTERFACE; 2.0V READ; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION = 40 YEARS	MICROWIRE BUS INTERFACE; 2.0V READ; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION = 40 YEARS	MICROWIRE BUS INTERFACE; 2.0V READ; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION = 40 YEARS	MICROWIRE BUS INTERFACE; 2.0V READ; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION = 40 YEARS	MICROWIRE BUS INTERFACE; 2.0V READ; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION = 40 YEARS	MICROWIRE BUS INTERFACE; 2.0V READ; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION = 40 YEARS	MICROWIRE BUS INTERFACE; 2.0V READ; AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION = 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)	0.25 MHz	0.25 MHz	0.25 MHz	0.25 MHz	0.25 MHz	0.25 MHz	0.25 MHz	0.25 MHz
数据保留时间-最小值	40	40	40	40	40	40	40	40
JESD-30 代码	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14
长度	8.65 mm	8.65 mm	8.65 mm	8.65 mm	8.65 mm	8.65 mm	8.65 mm	8.65 mm
内存密度	2048 bit	4096 bit	256 bit	1024 bit	4096 bit	1024 bit	2048 bit	256 bi
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	14	14	14	14	14	14	14	14
字数	128 words	256 words	16 words	64 words	256 words	64 words	128 words	16 words
字数代码	128	256	16	64	256	64	128	16
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C
组织	128X16	256X16	16X16	64X16	256X16	64X16	128X16	16X16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.75 mm	1.75 mm	1.75 mm	1.75 mm	1.75 mm	1.75 mm	1.75 mm	1.75 mm
串行总线类型	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	3.9 mm	3.9 mm	3.9 mm	3.9 mm	3.9 mm	3.9 mm	3.9 mm	3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)	15 ms	15 ms	15 ms	15 ms	15 ms	15 ms	15 ms	15 ms
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	-	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)

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爱特梅尔推出业界最高性能的手写笔解决方案

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led大屏幕在国家机关的应用

深圳市国家税务局成立于1994年9月28日，是深圳市主管国家税收工作的职能部门。2018年6月15日，国家税务总局深圳市税务局正式挂牌，标志着原深圳市国家税务局与原深圳市地方税务局正式合并。当前深圳市国家税务局内设16个行政处（室）、4个直属机构、5个事业机构，下辖9个正处级全职能区局。由科鑫光电提供的iPad平板电脑APP智能无线控制led小间距高清大屏幕系统解决方案顺利应用在了...[详细]
高亮度LED关键技术MOCVD最新进展

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高通四核计划:营销意义大于技术意义

在与联发科展开的份额保卫战以外，高通公司开始主动出击，针对中国市场推出价格实惠的智能手机解决方案。 9月27日，高通公司宣布面向大众智能手机市场推出两款四核移动处理器MSM8225Q和MSM8625Q，定价在50美元和200美元之间，并首次在骁龙S4PlusMSM8930平台上推出适合中国移动的TD-SCD-MA芯片。同时，高通称将针对这两款平台推出QRD解决方案。出击 MSM8225Q...[详细]
Radisys推出基于AI的三合一数字客户互动机器人

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一种微型存储测试系统的设计

在空间受限、环境恶劣和无法实时传输数据的情况下，传统测试技术受到很大限制，必须使用存储测试方法。该方法是在不影响被测对象或影响在允许范围内的情况下，将微型存储测试系统置入被测体内，现场实时完成信息的快速采集与存储，并回收存储器，由计算机处理，再现被测信息的一种动态测试技术。本文设计的微型存储测试系统是基于MSP430F149单片机，结合大容量串行FLASH存储器Multimedia Card(M...[详细]
蒋尚义：自主创新推动半导体技术升级

受访人：TSMC研发资深副总裁蒋尚义时间：2010年5月26日地点：北京香格里拉饭店上世纪80年代中期，晶圆代工企业的出现改变了集成电路产业的游戏规则，使全球半导体产业的生态系统发生了革命性的变化。随着集成电路特征尺寸进入32纳米节点，“摩尔定律还能走多远”成为业界关注的话题。作为专注于集成电路制造的企业，如何在新的工艺节点抢占先机？如何面对即将到来的器件物理...[详细]
清华与日产成立“智能出行联合中心”，合作涉及三大领域

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