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NN514105ALTT-60

EDO DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20

器件类别：存储    存储   

厂商名称：United Microelectronics Corporation

厂商官网：http://www.umc.com/

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参数 预览
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
United Microelectronics Corporation
包装说明
TSOP, TSOP20/26,.36
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
60 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDSO-G20
JESD-609代码
e0
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
1
端子数量
20
字数
4194304 words
字数代码
4000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP
封装等效代码
TSOP20/26,.36
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
自我刷新
YES
最大待机电流
0.00005 A
最大压摆率
0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
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