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NQ2864H-200

EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, NMOS, PQCC32

器件类别：存储    存储   

厂商名称：LSC/CSI

厂商官网：https://lsicsi.com

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参数
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LSC/CSI
包装说明
QCCJ, LDCC32,.5X.6
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
最长访问时间
200 ns
其他特性
AUTOMATIC WRITE
命令用户界面
NO
数据轮询
YES
耐久性
10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PQCC-J32
JESD-609代码
e0
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
32
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8KX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
QCCJ
封装等效代码
LDCC32,.5X.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
电源
5 V
编程电压
5 V
认证状态
Not Qualified
就绪/忙碌
YES
最大压摆率
0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
NMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
切换位
NO
最长写入周期时间 (tWC)
2 ms
Base Number Matches
1
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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