型号 | NVMFS5C645NLAFT1G | NVMFS5C645NLAFT3G |
---|---|---|
描述 | MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN | MOSFET N-CH 60V 22A 100A 5DFN |
FET 类型 | N 沟道 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 60V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 22A(Ta),100A(Tc) | 22A(Ta),100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 4 毫欧 @ 50A,10V | 4 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 34nC @ 10V | 34nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2200pF @ 50V | 2200pF @ 50V |
功率耗散(最大值) | 3.7W(Ta),79W(Tc) | 3.7W(Ta),79W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) | 5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN,5 引线 | 8-PowerTDFN,5 引线 |