OM4229RS,OM4229RS pdf中文资料,OM4229RS引脚图,OM4229RS电路-Datasheet-电子工程世界

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OM4204SS/RS/DS OM4229SS/RS/DS

OM4228SS/RS/DS

100 AMP SCHOTTKY CENTER-TAP IN HERMETIC

ISOLATED SIP PACKAGE

100 Amp, 45, 60 and 100 Volt Power Schottky

Center-Tap Module

FEATURES

•

Two Isolated Schottky Rectifiers In A Hermetic SIP Package

Very Low Forward Voltage

Low Recovery Charge

Rugged Package Design

High Efficiency For Low Voltage Supplies

Center-Tap Configuration

Common Cathode Standard

Small Size

Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels

DESCRIPTION

This device has two Schottky diodes arranged in a common cathode configuration

and is ideally suited for a full wave output rectifier in low voltage switching power

supplies where small size and high reliability are required. Common anode

configuration also available.

Peak Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45, 60, 100 V

Maximum Average DC Output Current, Per Leg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 A

Peak Reverse Transient Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 A

Non-Repetitive Peak Surge Current (8.3 mS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700 A

Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . - 55°C to + 175° C

Operating Junction Temperature. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . - 55°C to + 150° C

Package Themal Resistance Juntion to Case . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.25° C

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

= 25°C) Per Diode

3.2

SCHEMATIC

COMMON

ANODE

COMMON

CATHODE

OMXXXXSS

PIN CONNECTION

OMXXXXRS

DOUBLER

OMXXXXDS

Common cathode is standard. Contact the factory for performance

characteristics for common anode and doubler.

Z-Tab package also available.

1,2

3,4

5,6

4 11 R2

Supersedes 1 07 R1

3.2 - 21

OM4204SS/RS/DS OM4228SSRS/DS OM4229SS/RS/DS

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(Per Diode)

Maximum Forward

Part No.

OM4204XX

OM4228XX

OM4229XX

PIV

100

Voltage @ I

= 50A

(1) (2)

= 25°C

.750V

.87V

.97V

= 125°C

.700V

.800V

.900V

= 25°C

1.0mA

7.0mA

Maximum

Reverse Current

= 125°C

150mA

(1) Pulse Test:

Pulse Width 300µs. Duty Cycle 2.0%

(2) Pin Limitation:

70 Amp per pair.

TYPICAL FORWARD VOLTAGE

200

= 150°C

TYPICAL REVERSE CURRENT

OM4204SS

- REVERSE CURRENT (mA)

100

4.0

2.0

1.0

0.4

0.2

0.1

0.04

0.02

0.01

0.004

0.002

0.001

T = 150°C

OM4204SS

100

100°C

- INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS)

25°C

100°C

25°C

7.0

5.0

3.0

2.0

- REVERSE VOLTAGE (VOLTS)

3.2

1.0

0.7

0.5

MECHANICAL OUTLINE

1.375

.770

.118

.302

.265

.752

REF.

.040

0.3

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

- INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)

.150 DIA.

THRU 2

PLACES

.487

.500

MIN.

.200 TYP.

1.000

.060 DIA.TYP.

6 PLACES

.188

REF.

.140 TYP.

.270

MAX.

205 Crawford Street, Leominster, MA 01453 USA (508) 534-5776 FAX (508) 537-4246

参数对比

与OM4229RS相近的元器件有：OM4204SS、OM4229SS、OM4229DS、OM4228SS、OM4228RS、OM4228DS、OM4204RS、OM4204DS。描述及对比如下：

型号	OM4229RS	OM4204SS	OM4229SS	OM4229DS	OM4228SS	OM4228RS	OM4228DS	OM4204RS	OM4204DS
描述	50 A, SILICON, RECTIFIER DIODE	50 A, SILICON, RECTIFIER DIODE	50 A, SILICON, RECTIFIER DIODE	50 A, SILICON, RECTIFIER DIODE	50 A, SILICON, RECTIFIER DIODE	50 A, SILICON, RECTIFIER DIODE	50 A, SILICON, RECTIFIER DIODE	50 A, SILICON, RECTIFIER DIODE	50 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6
针数	6	6	6	6	6	6	6	6	6
Reach Compliance Code	compli	unknow	unknow	compli	unknow	compli	compliant	compli	compli
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
应用	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.9 V	0.7 V	0.9 V	0.9 V	0.8 V	0.8 V	0.8 V	0.7 V	0.7 V
JESD-30 代码	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6	R-MSFM-P6
最大非重复峰值正向电流	700 A	700 A	700 A	700 A	700 A	700 A	700 A	700 A	700 A
元件数量	2	2	2	2	2	2	2	2	2
相数	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	6	6	6	6	6	6	6	6	6
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最大输出电流	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A	50 A
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	225	225	NOT SPECIFIED	225	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	100 V	45 V	100 V	100 V	60 V	60 V	60 V	45 V	45 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
是否无铅	含铅	-	-	含铅	-	含铅	含铅	含铅	含铅
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	-	e0	e0	e0	e0
最低工作温度	-55 °C	-	-	-55 °C	-	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	-	TIN LEAD	-	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
Base Number Matches	1	-	1	1	1	1	1	1	-

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博通610亿美元收购VMware将面临欧盟长期反垄断调查

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为保证Face ID模组稳定供应苹果增加两家中国供应商

　　据The Investor网站北京时间2月8日报道，业界消息称，为保证 Face ID 的3D感应模组稳定供应，苹果将在今年增加两家中国供应商。 Face ID 是一款精密的3D人脸识别系统，也是iPhone X的标志性功能。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。　　苹果计划为今年的所有三款新iPhone都配备 Face ID 。在供应限制导致iPhone X在去年上市推...[详细]
怎样延长UPS中电池组的使用寿命

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热电偶冷端补偿

摘要：温度测量应用中，热电偶因其坚固性、可靠性以及较快的响应速度得到了普遍应用。本应用笔记讨论了热电偶的基本工作原理，包括参考端(冷端)的定义和功能。本文还给出了按照具体应用选择冷端温度测量器件的注意事项，并给出了三个设计范例。概述温度测量应用中有多种类型的变送器，热电偶是最常用的一种，可广泛用于汽车、家庭等领域。与RTD、电热调节器、温度检测集成电路(IC)相比，热电偶能够检测更宽的...[详细]
天线测试方法选择方案

　　对天线与某个应用进行匹配需要进行精确的天线测量。天线工程师需要判断天线将如何工作，以便确定天线是否适合特定的应用。这意味着要采用天线方向图测量(APM)和硬件环内仿真(HiL)测量技术，在过去5年中，国防部门对这些技术的兴趣已经越来越浓厚。虽然有许多不同的方法来开展这些测量，但没有一种能适应各种场合的理想方法。例如，500MHz以下的低频天线通常是使用锥形微波暗室(anechoic cham...[详细]
GSM模块TC35及其外围电路设计

　　 1. 引言　　随着通信事业的发展，移动通信应用领域的不断扩大，移动终端的设计也逐渐倍受关注。本文详细介绍了Siemens公司的GSM模块TC35、TI公司的电平转换芯片MAX3238等器件，及其构成的移动终端的硬件电路。该设计可以完成短消息收发、语音传输、与PC机进行数据传输等功能，已应用在基于GSM短消息的GPS车辆监控系统中。　　2. TC35模块　　TC35是Sieme...[详细]
力帆将斥资28亿元加码锂电池/换电平台

根据官方资料显示，2015年力帆新能源汽车表现抢眼，全年累计销售整车1.48万辆，增幅达1782.78%，这样的成绩也给力帆汽车树立了信心。对于未来的发展，记者从力帆汽车官方获悉，将斥资28亿元用于智能新能源汽车能源站、锂电芯、智能轻量化快换纯电动车平台开发项目。力帆本次投资中将有8.9亿元用于智能新能源汽车16亿瓦时锂电芯项目，项目建设周期12个月，由力帆集团重庆万光新能源科技有...[详细]
板凳要坐十年冷中国大陆的芯片往事

文/意卿 GPLP 科学无国界，但是真正的核心技术有国界。人无脑是什么结局? 植物人。国家无脑什么结局?任人宰割。缺芯的惨烈现实面前，所有中国人痛心——据《2017年集成电路产业现状分析》，中国大陆的高性能芯片国产化率较低，在多项技术领域尚未突破，国产化率最高不超过22%，发展了几十年，中国至今没有诞生英特尔、高通这种芯片公司。中国为何不能有自己的芯片? 这涉及到中国的芯片往事以及芯片...[详细]
中联通加大“扫黄”力度去年屏蔽不良网站12989个

3月1日消息在昨天举行的2011通信服务座谈会上，中国联通副总裁朱立军在发言中表示，2010年中国联通加强了对增值业务管理，建立了合作伙伴预警机制，对客户投诉量大，投诉集中的业务和合作伙伴予以预警，对收入异常的业务和合作伙伴进行跟踪。据了解，2010年中国联通集团信息检测中心共拨测全网合作增值业务96434次，拨测山寨机100款，内置菜单9501项。其中屏蔽全网增值业务202个，下线2...[详细]
基于PROFIBUS-DP的在尾矿脱水自动化

1 引言　　随着制造业自动化和过程自动化中分散化结构的迅速增长，现场总线技术应用日益广泛，它实现了数字和模拟输入输出模块、过程调节装置于可编程序控制器 plc 和pc之间的数据传输，把i/o通道分散到实际需要的现场设备附近，从而使整个系统的工程费用、装配费用、硬件成本、设备调试和维修成本大为降低。现场总线profibus(中国国家标准gb/t 20540-20...[详细]
中科院产业技术情报深度聚焦石墨烯如何颠覆未来

石墨烯，是当前世界上最薄、最轻、最硬、导电性最好而且拥有强大灵活性的纳米材料。它的强大能力常常令人咋舌。一块一厘米厚的石墨烯板，能够让一头5吨重的成年大象稳稳站在上面；用石墨烯做的手机电池，一秒内就能把电充满；以石墨烯为材料的平板电脑，可以随意折叠成手机大小放在口袋里。自石墨烯诞生以来，人们便对这个新材料的研发与应用前景兴趣浓厚，也使其也成了资本和市场追逐的宠儿，在电子、航天军工、新...[详细]
Keil工程编译后的程序大小及存储位置说明

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IAR调试S3C6410的笔记（三）

ICF文件、启动代码准备好之后就可以新建IAR工程，开始S3C6410的裸奔之旅了。此步骤的环境为IAR FOR ARM 6.10 1、新建工程，选择内核 2、配置头文件路径为：工程目录\inc 3、添加目录文件夹下的icf文件 4、调试可选择Simulator（软件仿真）或J-Link/J-Trace（jlink仿真器） 5、添加启动代...[详细]
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几个月前，小米推出了数字系列旗舰的新机小米6，这款手机依靠着不错的颜值以及均衡的体验吸引了不少人的关注。时间过去了几个月，小米6还是没有开放购买，不过这个问题也阻止不了网友对小米7的期待。日前，有网友晒出了一组小米7的概念渲染图，我们来围观一下。　　小米7概念渲染图小米7概念渲染图　　从图片来看，小米7的外观和小米6还是差别蛮大的，整体采用纯黑色配色，机身似乎更加硬朗，让人眼前一亮...[详细]
亿铸科技高级副总裁徐芳：存算一体架构创新助力国产大算力AI芯片腾飞

2024年10月17日—— 在湾芯展SEMiBAY2024《AI芯片与高性能计算（HPC）应用论坛》上，亿铸科技高级副总裁徐芳发表了题为《存算一体架构创新助力国产大算力AI芯片腾飞》的演讲。徐总在演讲中详细介绍了亿铸科技的发展历程、技术优势以及对未来产业的展望，同时分析了当前国内AI大算力芯片面临的挑战。存算一体架构：突破传统计算瓶颈自2022年以来，美国不断收紧对华出...[详细]