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P06P03LDG

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:75mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:P沟道 P沟道 -30V -12A

器件类别:分立半导体    MOS(场效应管)   

厂商名称:NIKO-SEM(尼克森)

厂商官网:http://www.niko-sem.com/

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器件参数
参数名称
属性值
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)
12A(Tc)
栅源极阈值电压
3V @ 250uA
漏源导通电阻
75mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)
48W(Tc)
类型
P沟道
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