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PDM41256LB15TI

Standard SRAM, 32KX8, 15ns, CMOS, PDSO28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Paradigm Technology Inc

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Paradigm Technology Inc
包装说明
TSSOP, TSSOP28,.53,22
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
15 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G28
JESD-609代码
e0
内存密度
262144 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
28
字数
32768 words
字数代码
32000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
32KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSSOP
封装等效代码
TSSOP28,.53,22
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.002 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.55 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
热门器件
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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