QS043-402-20382（2/5）
ＩＧＢＴ
Ｍ½½½½½－Ｄ½½½
□ 回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
１５０
Ａ，
１２００Ｖ
□ 外 ½ 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
94.0
80
±0.25
ＰＤＭＢ１５０ＢＳ１２
12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
7(G2)
6(E2)
1
48.0
16.0
14.0
2
3
2-Ø6.5
7
6
5(E1)
4(G1)
5
4
3-M5
23.0
23.0
17.0
14
9
14
9
14
4-fasten tab
#110 t=0.5
21.2 7.5
7
30
+1.0
- 0 .5
LABEL
4 18.0
4
Dimension:［mm½
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
接
合
温
度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
保
存
温
度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
絶
縁
耐
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１½inute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
□ 電 気 的 特 性
ＤＣ
１½½
ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｖ
ＣＥＳ
Ｖ
ＧＥＳ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＰ
Ｐ
Ｃ
Ｔ
½
Ｔ
½½½
Ｖ
ＩＳＯ
Ｆ
½½½
Ｒ½½½½
Ｖ½½½½
Ｕ½½½
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ
（ＲＭＳ）
Ｎ・½
(kgf½cm)
Ｉ½½½
１，２００
±２０
１５０
３００
７６５
－４０½＋１５０
－４０½＋１２５
２,５００
３（３０.６）
２（２０.４）
：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
ＣＥＳ
Ｉ
ＧＥＳ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｖ
ＧＥ（½½）
Ｃ
½½½
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
Ｒise
Ｔurn-on
Ｆall
Ｔurn-off
Ｔime
Ｔime
Ｔime
Ｔime
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｖ
ＣＥ
= 1200V,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｖ
ＧＥ
= ±20V,Ｖ
ＣＥ
= 0V
Ｉ
Ｃ
= 150A,Ｖ
ＧＥ
= 15V
Ｖ
ＣＥ
= 5V,Ｉ
Ｃ
= 150mA
Ｖ
ＣＥ
= 10V,Ｖ
ＧＥ
= 0V,½= 1MH
Ｚ
Ｖ
ＣＣ
= 600V
Ｒ
L
= 4.0Ω
Ｒ
G
= 10.0Ω
Ｖ
ＧＥ
= ±15V
Ｍ½½.
－
－
－
４.０
－
－
－
－
－
Ｔ½½.
－
－
２.３
－
8,300
０.２５
０.４０
０.２５
０.８０
Ｍ½½.
１.５
１.０
２.７
８.０
－
０.４５
０.７０
０.３５
１.１０
Ｕ½½½
½Ａ
μＡ
Ｖ
Ｖ
½Ｆ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
コレクタ・エミッタ間½和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
入
力
容
量
Ｉnput Ｃapacitance
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ
Ｉ½½½
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆 回 復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
Ｆ
Ｉ
ＦＭ
Ｓ½½½½½
Ｖ
Ｆ
½
½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
１５０
３００
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｉ
Ｆ
= 150A,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｉ
Ｆ
= 150A,Ｖ
ＧＥ
= -10V
½i/½t= 300A/μs
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
２．２
０.２
Ｍ½½.
２.６
０.３
Ｕ½½½
Ａ
ＤＣ
１½½
Ｕ½½½
Ｖ
μ½
□ 熱 的 特 性 ：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓ½½½½½
Ｒth(j-c)
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Junction to Case
（Tc測定点チップ直下）
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
－
－
Ｍ½½. Ｕ½½½
０.１６３
℃／Ｗ
０.３２７
日本インター株式会社
QS043-402-20382（3/5）
ＰＤＭＢ１５０ＢＳ１２
Fig.1-
Output Characteristics (Typical)
300
Fig.2-
Output Characteristics (Typical)
T
C
=25°C
300
T
C
=125°C
V
GE
=20V
12V
11V
V
GE
=20V
250
12V
11V
250
15V
15V
Collector Current I
C
(A)
200
10V
Collector Current I
C
(A)
200
10V
150
150
9V
100
9V
100
8V
7V
8V
50
50
7V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.3-
Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
16
Fig.4-
Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
T
C
=25°C
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T
C
=125°C
I
C
=75A
150A
300A
I
C
=75A
300A
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
150A
12
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig.5-
Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
800
700
Fig.6-
Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
16
14
100000
R
L
=4.0
T
C
=25°C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
30000
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25°C
Cies
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
600
500
400
300
200
100
0
0
12
10
8
6
4
2
0
1000
Capacitance C (pF)
10000
3000
1000
V
CE
=600V
400V
200V
Coes
300
Cres
100
30
200
400
600
800
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
Total Gate Charge Qg (nC)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
日本インター株式会社
QS043-402-20382（4/5）
ＰＤＭＢ１５０ＢＳ１２
Fig.7-
Collector Current vs. Switching Time (Typical)
2
10
Fig.8-
Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
V
CC
=600V
I
C
=150A
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
Resistive Load
1.6
V
CC
=600V
R
G
=10
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
Resistive Load
Switching Time t (µs)
1.2
t
OFF
Switching Time t (µs)
3
1
toff
0.8
t
f
t
ON
t
r(V
CE
)
0
25
50
75
100
125
150
ton
0.3
tr(V
CE
)
tf
0.4
0
0.1
10
30
100
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
( )
Fig.9-
Collector Current vs. Switching Time
10
10
Fig.10-
Series Gate Impedance vs. Switching Time
V
CC
=600V
I
C
=150A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
3
Switching Time t (µs)
1
Switching Time t (µs)
t
OFF
t
f
0.3
V
CC
=600V
R
G
=10
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
5
2
1
0.5
toff
ton
t
ON
0.1
0.2
0.1
0.05
tf
tr
(I
C
)
5
10
30
100
0.03
t
r(Ic)
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.02
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
( )
Fig.11-
Collector Current vs. Switching Loss
40
200
Fig.12-
Series Gate Impedance vs. Switching Loss
V
CC
=600V
I
C
=150A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
Switching Loss E
SW
(mJ/Pulse)
Switching Loss E
SW
(mJ/Pulse)
30
V
CC
=600V
R
G
=10
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
100
E
ON
E
ON
30
20
E
OFF
E
RR
E
OFF
10
10
E
RR
0
0
50
100
150
200
3
5
10
30
70
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
( )
日本インター株式会社
QS043-402-20382（5/5）
ＰＤＭＢ１５０ＢＳ１２
300
Fig.13-
Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
Fig.14-
Reverse Recovery Characteristics (Typical)
1000
250
T
C
=25°C
Peak Reverse Recovery Current I
RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr (ns)
I
F
=150A
T
C
=25°C
T
C
=125°C
trr
T
C
=125°C
Forward Current I
F
(A)
300
200
150
100
100
I
RrM
30
50
0
0
1
2
3
4
10
0
600
1200
1800
Forward Voltage V
F
(V)
-di/dt (A/µs)
Fig.15-
Reverse Bias Safe Operating Area (Typical)
1000
500
200
R
G
=10 , V
GE
=±15V, T
C
=125°C
Collector Current I
C
(A)
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.16-
Transient Thermal Impedance
1
Transient Thermal Impedance Rth
(J-C)
(°C/W)
5x10
-1
2x10
-1
1x10
-1
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
2x10
-3
1x10
-3
5x10
-4
10
-5
FRD
IGBT
T
C
=25°C
1 Shot Pulse
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
Time t (s)
日本インター株式会社
