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PDT2018

Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element,

器件类别:模拟混合信号IC    触发装置   

厂商名称:Kyocera(京瓷)

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Kyocera(京瓷)
包装说明
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
UL RECOGNIZED
外壳连接
ISOLATED
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流
150 mA
最大直流栅极触发电压
5 V
快速连接描述
0
螺丝端子的描述
0
JESD-30 代码
R-XUFM-X7
最大漏电流
30 mA
通态非重复峰值电流
4000 A
元件数量
2
端子数量
7
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
认证状态
Not Qualified
最大均方根通态电流
314 A
断态重复峰值电压
800 V
重复峰值反向电压
800 V
表面贴装
NO
端子形式
UNSPECIFIED
端子位置
UPPER
触发设备类型
SCR
Base Number Matches
1
文档预览
THYRISTOR
■回路図 CIRCUIT
PDT
1
2
200A Avg 800 Volts
K2 G2
3
K1 G1
PDT2018
PDH2018
(単½ Dimension:mm)
■外½寸法図 OUTLINE DRAWING
PDH
1
2
3
K1 G1
■最大定格 Maximum Ratings
項   目
Parameter
くり返しピークオフ電圧
Repetitive Peak Off-State Voltage
非くり返しピークオフ電圧
Non Repetitive Peak Off-State Voltage
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
非くり返しピーク逆電圧
Non Repetitive Peak Reverse Voltage
項   目
Parameter
平均整流電流
Average Rectified Output Current
実効オン電流
RMS On-State Current
サージオン電流
Surge On-State Current
電流二乗時間積
I Squared t
臨界オン電流上昇率
Critical Rate of Rise of Turned-On Current
ピークゲート電力損失
Peak Gate Power
平均ゲート電力損失
Average Gate Power
ピークゲート電流
Peak Gate Current
ピークゲート電圧
Peak Gate Voltage
ピークゲート逆電圧
Peak Gate Reverse Voltage
動½接合温度範囲
Operating Junction Temperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
Isolation Voltage
ベース部
Mounting
締付トルク
Mounting Torque
主端子部
Terminal
記号
Symbol
V
DRM
V
DSM
V
RRM
V
RSM
記号
Symbol
I
0
(AV)
I
T RMS)
I
TSM
I
2
t
di/dt
P
GM
P
(AV)
G
I
GM
V
GM
V
RGM
T
jw
T
stg
V
iso
端子−裏面ベース間,AC1分間
Terminal to Base, AC1min.
サーマルコンパウンド塗布
Greased
50Hz正弦半波,1サイクル,非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive
2∼10ms
V
D
=2/3V
DRM
,I
TM
=2 I
O
,T
j
=125℃
μ
I
G
=300mA,di
G
/dt=0.2A/ s
条   件
Conditions
商用周波数 180°通電
Half Sine Wave
耐圧クラス Grade
PDT2018/PDH2018
800
900
800
900
定格値
Max. Rated Value
T
c
=65℃
200
314
4000
80000
100
5
1
2
10
5
−40∼+125
−40∼+125
2500
M6
M6
2.5∼3.5
2.5∼3.5
単½
Unit
V
V
V
V
単½
Unit
A
A
A
A
2
s
A/ s
μ
W
W
A
V
V
V
N m
N m
F
W
1アーム½りの値 Value Per 1 Arm.
─ 242 ─
■電気的特性 Electrical Characteristics
項   目
Parameter
ピークオフ電流
Peak Off-State Current
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
ピークオン電圧
Peak On-State Voltage
トリガゲート電流
Gate Current to Trigger
トリガゲート電圧
Gate Voltage to Trigger
非トリガゲート電圧
Gate Non-Trigger Voltage
臨界オフ電圧上昇率
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
ターンオフ時間
Turn-Off Time
ターンオン時間
Turn-On Time
遅れ時間
Delay Time
立上がり時間
Rise Time
ラッチング電流
Latching Current
保持電流
Holding Current
熱抵抗
Thermal Resistance
接触熱抵抗
Thermal Resistance
質量…約280g
Approximate Weight
記号
Symbol
I
DM
I
RM
V
TM
I
GT
条   件
Conditions
T
j
=125℃,V
DM
=V
DRM
T
j
=125℃,V
RM
=V
RRM
T
j
=25℃,I
TM
=600A
V
D
=6V,I
T
=1A
T
j
=−40℃
T
j
= 25℃
T
j
= 125℃
T
j
=−40℃
T
j
= 25℃
T
j
= 125℃
0.25
500
100
6
T
j
=25℃,V
D
=2/3V
DRM
I
G
=300mA,di
G
/dt=0.2A/ s
μ
2
4
T
j
=25℃
T
j
=25℃
接合部−ケース間
Junction to Case,
ケース−フィン間,サーマルコンパウンド塗布
Case to Fin, Greased
100
60
0.23
0.15
特性値(最大)
Maximum Value
最小
標準
最大
Min.
Typ.
Max.
単½
Unit
mA
mA
V
mA
mA
mA
V
V
V
V
V/ s
μ
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
mA
mA
℃/W
℃/W
30
30
1.34
300
150
80
5
3
2
V
GT
V
GD
dv/dt
t
q
t
gt
t
d
t
r
I
L
I
H
R
th
(j-c)
R
th
(c-f)
V
D
=6V,I
T
=1A
T
j
=125℃,V
D
=2/3V
DRM
T
j
=125℃,V
D
=2/3V
DRM
T
j
=125℃,I
TM
=I
O
,V
D
=2/3V
DRM
dv/dt=20V/ s,
R
=100V,
μ V
−di/dt=20A/ s
μ
1アーム½りの値 Value Per 1 Arm.
■定格・特性曲線
─ 243 ─
─ 244 ─
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参数对比
与PDT2018相近的元器件有:PDH2018。描述及对比如下:
型号 PDT2018 PDH2018
描述 Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element,
厂商名称 Kyocera(京瓷) Kyocera(京瓷)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大直流栅极触发电流 150 mA 150 mA
最大直流栅极触发电压 5 V 5 V
JESD-30 代码 R-XUFM-X7 R-XUFM-X5
最大漏电流 30 mA 30 mA
通态非重复峰值电流 4000 A 4000 A
元件数量 2 1
端子数量 7 5
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大均方根通态电流 314 A 314 A
断态重复峰值电压 800 V 800 V
重复峰值反向电压 800 V 800 V
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
触发设备类型 SCR SCR
Base Number Matches 1 1
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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