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PG322B

Variable Capacitance Diode, 22pF C(T), Silicon, Abrupt

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Msi Electronics Inc

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Msi Electronics Inc
包装说明
O-LALF-W2
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
其他特性
SUPER Q
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管电容容差
5%
最小二极管电容比
3.65
标称二极管电容
22 pF
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码
O-LALF-W2
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
最大功率耗散
0.4 W
认证状态
Not Qualified
最小质量因数
300
最大重复峰值反向电压
55 V
最大反向电流
5e-7 µA
反向测试电压
50 V
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
变容二极管分类
ABRUPT
文档预览
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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