ＩＧＢＴ
Ｍ½½½½½－Ｃ½½½½½½
□
回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
２００ Ａ，１２００Ｖ
ＰＲＨＭＢ２００Ｂ１２
94.0
80
±0.25
□ 外 ½ 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
2-Ø6.5
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
48.0
16.0
14.0
7(G2)
6(E2)
1
2
3
7
6
3-M5
14
23.0
9
14
23.0
9
14
17.0
4-fasten tab
#110 t=0.5
21.2 7.5
7
30
+1.0
- 0 .5
LABEL
4
Dimension:［mm½
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
接
合
温
度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
保
存
温
度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
絶
縁
耐
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１½inute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
□ 電 気 的 特 性
ＤＣ
１½½
ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｖ
ＣＥＳ
Ｖ
ＧＥＳ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＰ
Ｐ
Ｃ
Ｔ
½
Ｔ
½½½
Ｖ
ＩＳＯ
Ｆ
½½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
１，２００
±２０
２００
４００
９６０
－４０½＋１５０
－４０½＋１２５
２,５００
３（３０.６）
２（２０.４）
Ｕ½½½
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ
（ＲＭＳ）
Ｎ・½
(kgf½cm)
Ｉ½½½
：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
ＣＥＳ
Ｉ
ＧＥＳ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｖ
ＧＥ（½½）
Ｃ
½½½
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
Ｒise
Ｔurn-on
Ｆall
Ｔurn-off
Ｔime
Ｔime
Ｔime
Ｔime
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｖ
ＣＥ
= 1200V,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｖ
ＧＥ
= ±20V,Ｖ
ＣＥ
= 0V
Ｉ
Ｃ
= 200A,Ｖ
ＧＥ
= 15V
Ｖ
ＣＥ
= 5V,Ｉ
Ｃ
= 200mA
Ｖ
ＣＥ
= 10V,Ｖ
ＧＥ
= 0V,½= 1MH
Ｚ
Ｖ
ＣＣ
= 600V
Ｒ
L
= 3Ω
Ｒ
G
= 2Ω
Ｖ
ＧＥ
= ±15V
Ｍ½½.
－
－
－
４.０
－
－
－
－
－
Ｔ½½.
－
－
１.９
－
16,600
０.２５
０.４０
０.２５
０.８０
Ｍ½½.
４.０
１.０
２.４
８.０
－
０.４５
０.７０
０.３５
１.１０
Ｕ½½½
½Ａ
μＡ
Ｖ
Ｖ
½Ｆ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
コレクタ・エミッタ間½和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
入
力
容
量
Ｉnput Ｃapacitance
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ
Ｉ½½½
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆 回 復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
□ 熱 的
特 性
ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
Ｆ
Ｉ
ＦＭ
Ｓ½½½½½
Ｖ
Ｆ
½
½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
２００
４００
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｉ
Ｆ
= 200A,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｉ
Ｆ
= 200A,Ｖ
ＧＥ
= -10V
½i/½t= 400A/μs
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
１.９
０.２
Ｍ½½.
２.４
０.３
Ｕ½½½
Ａ
ＤＣ
１½½
Ｕ½½½
Ｖ
μ½
：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｓ½½½½½
Ｒth(j-c)
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Junction to Case
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
－
－
Ｍ½½. Ｕ½½½
０.１２５
℃／Ｗ
０.２４
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
日本インター株式会社
ＰＲＨＭＢ２００Ｂ１２
Fig.1- Output Characteristics
(Typical)
400
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=100A
400A
V
GE
=20V
15V
12V
10V
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
12
10
8
6
4
2
0
200A
Collector Current I
C
(A)
300
9V
200
8V
100
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
16
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
800
700
600
500
400
16
T
C
=125℃
I
C
=100A
400A
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
R
L
=3Ω
T
C
=25℃
14
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
200A
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
V
CE
=600V
300
6
400V
200
4
200V
100
0
0
300
600
900
1200
2
0
1500
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Total Gate Charge Qg
(nC)
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
100000
50000
20000
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time
(Typical)
1.4
1.2
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
Cies
V
CC
=600V
R
G
= 2.0 Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
Switching Time t
(μs)
Capacitance C
(pF)
10000
5000
2000
1000
500
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
t
OFF
Coes
t
f
Cres
200
100
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
t
ON
t
r
0
50
100
150
200
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(A)
日本インター株式会社
ＰＲＨＭＢ２００Ｂ１２
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time
(Typical)
10
5
400
(Typical)
T
C
=25℃
T
C
=125℃
V
CC
=600V
I
C
=200A
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
toff
ton
Switching Time t
(μs)
2
1
0.5
Forward Current I
F
(A)
tr
300
200
tf
0.2
0.1
0.05
100
1
2
5
10
20
50
100
200
0
0
1
2
3
4
Series Gate Impedance R
G
(Ω)
Forward Voltage V
F
(V)
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics
(Typical)
1000
1000
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area
(Typical)
500
200
Peak Reverse Recovery Current I
RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr
(ns)
500
I
F
=200A
T
C
=25℃
R
G
=2Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
200
100
50
Collector Current I
C
(A)
200
400
600
800
1000
1200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
trr
20
I
RrM
10
5
0
0.1
0
400
800
1200
1600
-di/dt
(A/μs)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.11- Transient Thermal Impedance
1
(℃/W)
5x10
-1
2x10
-1
1x10
-1
FRD
IGBT
Transient Thermal Impedance Rth
(J-C)
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
2x10
-3
1x10
-3
5x10
-4
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
T
C
=25℃
1 Shot Pulse
1
10
1
Time t
(s)
日本インター株式会社
