GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen
GaAs Infrared Emitter Arrays
LD 260
LD 262 ... LD 269
7.4
7.0
1.9
1.7
0.5
0.4
2.54 mm
spacing
2.7
2.5
0.25
0.15
2.1
1.5
0.4 A
GEO06367
A
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Gehäusegleich mit BPX 80-Serie
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Lochstreifenleser
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
Same package as BPX 80 series
Applications
q
Miniature photointerrupters
q
Punched tape-readers
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
1997-11-01
feo06367
1.4
1.0
Collector (BPX 83)
Cathode (LD 263)
fez06365
0.7
0.6
0 ... 5
3.5
3.0
3.6
3.2
Chip
position
LD 260
LD 262 ... LD 269
Typ
Type
LD 262
LD 263
LD 264
LD 265
LD 266
LD 267
LD 268
LD 269
LD 260
IRED
Maß “A”
Bestellnummer Gehäuse
pro Zeile
per Row Dimension “A” Ordering Code Package
min.
2
3
4
5
6
7
8
9
10
4.5
7
9.6
12.1
14.6
17.2
19.7
22.3
24.8
max.
4.9
7.4
10
12.5
15
17.6
20.1
22.7
25.2
Q62703-Q70
Q62703-Q71
Q62703-Q72
Q62703-Q73
Q62703-Q74
Q62703-Q75
Q62703-Q76
Q62703-Q77
Q62703-Q78
Zeilenbauform, Leiterbandgehäuse,
klares Epoxy-Gießharz, linsenförmig,
Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Kathodenkennzeichnung:
Nase am Lötspieß
Lead frame arrays, transparent epoxy
resin lens, solder tabs, lead spacing
2.54 mm (
1
/
10
’’), cathode marking:
projection at solder lead
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
τ ≤
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 ... + 80
80
5
50
1.6
70
750
650
Einheit
Unit
°C
°C
V
mA
A
mW
K/W
K/W
T
op
;
T
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJL
Semiconductor Group
2
1997-11-01
LD 260
LD 262 ... LD 269
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 50 m A,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10%, bei
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 50 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität,
V
R
= 0 V
Capacitance
Durchlaßspannung,
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20
µs
Forward voltage
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
∆λ
55
nm
ϕ
±
15
0.25
0.5
×
0.5
1.3 ... 1.9
1
Grad
deg.
mm
2
mm
mm
µs
A
L
×
B
L
×
W
H
t
r
,
t
f
C
o
V
F
I
R
40
1.25
(≤
1.4)
0.01
(≤
1)
9
– 0.55
pF
V
µA
mW
%/K
Gesamtstrahlungsfluß,
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Φ
e
Total radiant flux
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 50 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 50 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
,
I
F
= 50 mA
Temperature coefficient of
λ
peak
,
I
F
= 50 mA
Strahlstärke,
I
F
= 50 mA,
t
p
= 20 ms
Radiant intensity
TC
I
TC
V
TC
λ
I
e
– 1.5
0.3
typ. 5 (≥ 2.5)
mV/K
nm/K
mW/sr
Semiconductor Group
3
1997-11-01
LD 260
LD 262 ... LD 269
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(λ)
100
%
OHRD1938
Radiant intensity
I
e
=
f
(I
F
)
I
e
100 mA
OHR01039
Single pulse,
t
p
= 20
µs
Ι
e
10
2
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(T
A
)
80
Ι
F
mA
70
60
OHR01124
Ι
rel
Ι
e
(100 mA)
80
10
60
1
50
40
40
R
thJL
= 650 K/W
10
0
30
R
thJA
= 750 K/W
20
20
10
0
880
920
960
1000
λ
nm
1060
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
A
Ι
F
10
1
0
0
20
40
60
80 C 100
T
A
,
T
L
Forward current
I
F
=
f
(V
E
), single pulse,
t
p
= 20
µ
s
10
1
A
OHR01042
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
τ
),
T
C
= 25
°C,
duty cycle
D
= parameter
10
4
OHR02182
Ι
F
Ι
F
mA
10
0
typ.
max.
10
3
D
=0
0,005
0,01
0,02
τ
D
=
τ
T
T
Ι
F
0,05
0,1
0,2
10
-1
10
2
0,5
DC
10
-2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
V
F
10
1 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
τ
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
0
1.0
OHR01878
ϕ
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
4
1997-11-01
