IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
High Power Infrared Emitter (850 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4258
SFH 4259
Vorläufige Daten / Preliminary Data
OS-PCN-2010-033-A. To be used for design-in.
Wesentliche Merkmale
Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
Halbwinkel SFH 4258:
±
15°
Halbwinkel SFH 4259:
±
25°
Hohe Bestromung bei hohen Temperaturen
möglich
• Kurze Schaltzeiten
Anwendungen
• Infrarotbeleuchtung für Kameras
• IR-Datenübertragung
• Sensorik
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471
behandelt werden.
Typ
Type
SFH 4258
SFH 4259
1)
Features
•
•
•
•
High Power Infrared LED
Half angle SFH 4258:
±
15°
Half angle SFH 4259:
±
25°
High forward current allowed at high
temperature
• Short switching times
Applications
• Infrared Illumination for cameras
• IR Data Transmission
• Optical sensors
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 and IEC 62471.
•
•
•
•
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A2975
Q65110A2464
Strahlstärkegruppierung
1)
(
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms)
Radiant Intensity Grouping
1)
I
e
(mW/sr)
≥
40 (typ. 90)
≥
25 (typ. 55)
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr / measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
2010-12-17
1
SFH 4258, SFH 4259
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
=
100
μs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
5
100
1.5
180
300
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
, T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
R
thJA
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
2
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
R
thJS
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
Centroid-Wellenlänge der Strahlung
Centroid wavelength
I
F
= 100 mA
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 4258
SFH 4259
Symbol
Symbol
λ
peak
140
K/W
Wert
Value
860
Einheit
Unit
nm
λ
centroid
850
nm
Δλ
42
nm
ϕ
ϕ
±
15
±
25
Grad
deg.
2010-12-17
2
SFH 4258, SFH 4259
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Durchlassspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 µs
Sperrstrom
Reverse current
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.09
0.3
×
0.3
12
Einheit
Unit
mm
2
mm²
ns
A
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
V
F
V
F
I
R
1.5 (< 1.8)
2.4 (< 3.0)
V
V
not designed for
μA
reverse
operation
50
mW
Φ
e typ
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
TC
I
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
– 0.7
+ 0.3
mV/K
nm/K
2010-12-17
3
SFH 4258, SFH 4259
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
1)
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Symbol
SFH 4258
-U
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1A,
t
p
= 100 µs
I
e min
I
e max
I
e typ.
40
80
400
Werte
Values
SFH 4258
-V
63
125
600
SFH 4258
-AW
100
200
800
mW/sr
mW/sr
mW/sr
Einheit
Unit
SFH 4259
-T
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1A,
t
p
= 100 µs
1)
SFH 4259
-U
40
80
350
mW/sr
mW/sr
mW/sr
I
e min
I
e max
I
e typ.
25
50
250
Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1) /
Only one group in one packing unit (variation lower 2:1)
2010-12-17
4
SFH 4258, SFH 4259
Abstrahlcharakteristik
Radiation Characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
SFH 4258
40˚
30˚
20˚
10˚
ϕ
0˚
1.0
OHL00021
50˚
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
0
Abstrahlcharakteristik
Radiation Characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
SFH 4259
50˚
0.8
60˚
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
1.0
OHL00999
ϕ
0.6
70˚
0.4
0.2
0
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
2010-12-17
5
测试/测量
