IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
High Power Infrared Emitter (940 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4547
Wesentliche Merkmale
• Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
• Kurze Schaltzeiten
Anwendungen
• Infrarotbeleuchtung für Kameras
• Sensorik
• Datenübertragung
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471
behandelt werden.
Features
• High Power Infrared LED
• Short switching times
Applications
• Infrared Illumination for cameras
• Sensor technology
• Data transmission
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 and IEC 62471.
Typ
Type
SFH 4547
1)
Bestellnummer
Ordering Code
Q65111A1141
Strahlstärkegruppierung
1)
(
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms)
Radiant Intensity Grouping
1)
I
e
(mW/sr)
≥
25 (typ. 50)
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr / measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
2012-03-08
1
SFH 4547
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
=
100
μs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
5
100
1
180
450
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
, T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
R
thJA
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
2
each
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
Schwerpunkt-Wellenlänge der Strahlung
Centroid wavelength
I
F
= 100 mA
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
λ
centroid
940
nm
Δλ
35
nm
ϕ
±
30
0.09
0.3
×
0.3
Grad
deg.
mm
2
mm²
A
L
×
B
L
×
W
2012-03-08
2
SFH 4547
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Durchlassspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 µs
Sperrstrom
Reverse current
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Symbol
Symbol
Wert
Value
12
Einheit
Unit
ns
t
r
,
t
f
V
F
V
F
I
R
1.5 (< 1.8)
2.4 (< 3.0)
V
V
not designed for
μA
reverse
operation
55
mW
Φ
e typ
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
TC
I
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–3
+ 0.3
mV/K
nm/K
2012-03-08
3
SFH 4547
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
1)
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Symbol
SFH 4547
-T
Strahlstärke
I
e min
Radiant intensity
I
e max
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
1)
Werte
Values
SFH 4547
-U
40
80
SFH 4547
-V
63
125
Einheit
Unit
25
50
mW/sr
mW/sr
Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1) /
Only one bin in one packing unit (variation lower 2:1)
Abstrahlcharakteristik
Radiation Characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
100
90
80
70
60
Ire l / %
50
40
30
20
10
0
-90
-60
-30
0
Angle / °
30
60
90
2012-03-08
4
SFH 4547
Relative Spectral Emission
I
rel
=
f
(λ)
100
OHF04133
Radiant Intensity
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
Single pulse,
t
p
= 25
μs
10
1
OHF03821
Max. Permissible Forward Current
I
F
=
f
(
T
A
),
R
thJA
= 450 K/W
125
OHR00880
I
rel
%
80
I
e
I
e
(100 mA)
10
0
5
Ι
F
mA
100
60
10
-1
75
40
5
50
10
-2
20
5
25
0
800
850
900
950
nm 1050
10
-3 0
10
5 10
1
5 10
2
mA 10
3
0
0
20
40
60
λ
I
F
80 ˚C 100
T
Forward Current
I
F
=
f
(
V
F
)
Single pulse,
t
p
= 100
μs
10
0
A
OHF03822
Permissible Pulse Handling
Capability
I
F
=
f
(τ),
T
A
= 25
°C,
duty cycle
D
= parameter
I
F
1.2
A
1.0
OHF02532
I
F
D
=
T
t
P
t
P
I
F
T
10
-1
5
D
=
0.8
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
10
-2
5
0.6
0.4
10
-3
5
0.2
10
-4
0
0.5
1
1.5
2 V 2.5
0
-5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
V
F
t
p
2012-03-08
5
