RA32Z39
RA32Z39
Silicon Protectifiers
®
with TVS characteristic – Button Diodes
Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Knopf-Zellen
Version 2014-07-30
Nominal current
Nennstrom
Nominal breakdown voltage
Nominale Abbruchspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose
Dimensions - Maße [mm]
32 A
39 V
Button
1.9 g
4.2
8.5
Maximum ratings
Type
Typ
Breakdown voltage
Abbruchspannung
I
T
= 100 mA
1
)
V
BRmin
[V]
RA32Z39
35
V
BRmax
[V]
42
5.6
6.2
±0.2
Grenzwerte
Reverse voltage
Sperrspannung
I
R
= 1 µA
1
)
V
R
[V]
> 30
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
C
= 150°C
I
FAV
I
FSM
32 A
270/300 A
375 A
2
s
-50...+215°C
-50...+215°C
T
A
= 25°C
i
2
t
T
j
T
S
1
Tj = 25°C
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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RA32Z39
Characteristics
Forward Voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Clamping voltage
Begrenzerspannung
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
I
F
= 100 A
V
R
= 30 V
I
pp
= 80 A
V
F
I
R
V
C
R
thC
Kennwerte
< 1.2 V
1
)
< 500 µA
< 56.4 V
2
)
< 0.8 K/W
Thermal resistance junction to case (terminal)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (Anschluss)
120
[%]
100
10
3
[A]
10
2
T
j
= 125°C
80
10
T
j
= 25°C
60
40
1
20
I
FAV
0
0
T
C
50
100
150
200
[°C]
I
F
10
-1
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
270a-(25a-1,1v)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
3
[A]
10
2
î
F
10
1
10
10
2
[n]
10
3
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
2
Tested with pulses t
p
= 100 ms – Gemessen mit Impulsen t
p
= 100 ms
10/1000µs pulse – 10/1000 µs Impuls
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