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RKBPC10-00

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 10A, 50V V(RRM), Silicon, PLASTIC, RKBPC, 4 PIN

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
S-PUFM-D4
Reach Compliance Code
compliant
其他特性
UL RECOGNIZED
外壳连接
ISOLATED
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码
S-PUFM-D4
最大非重复峰值正向电流
200 A
元件数量
4
相数
1
端子数量
4
最大输出电流
10 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
SQUARE
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
50 V
表面贴装
NO
端子形式
SOLDER LUG
端子位置
UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
文档预览




















   
                        
   



 





  

              

  





 

  

 

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1323 

 A



 
                   
                                                                                     
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1323 

 A

40
RKBPC35

I
F
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
Mounted on a
220 x 220 x 50 mm
AL plate heatsink
Resistive or
Inductive load
30
RKBPC25
I
F
, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)

100
10
20
RKBPC15
1.0




      
10
                                          

RKBPC10
0.1
T
j
= 25°C
Pulse Width = 300µs
0
0.01
0
0.2
0.4 0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6 1.8
0
25
50
75
100
125
150
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Forward. Current Derating Curve
V
F
, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Forward Characteristics (per element)
I
FSM
, PEAK FWD. SURGE CURRENT (A)
400
Single Half-Sine Wave
(JEDEC Method)
1000
f = 1 Mhz
T
j
= 25°C
RKBPC35
300
RKBPC35



RKBPC15, 25
C
j
, CAPACITANCE (pF)
RKBPC25
200
RKBPC10, 15
100
100
RKBPC10
T
j
= 150°C
0
1
10
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
Fig. 3 Max Non-Repetitive Surge Current
100
I
R
, INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT (µA)
T
j
= 125°C
100
10
0.1
10
100
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Junction Capacitance (per element)
1.0
10
1.0
0.1
T
j
= 25°C
0.01
20
40
60
80
100
120
140
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)
Fig. 5 Typical Reverse Characteristics (per element)
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