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分立半导体
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二极管
RTD08
0.1 A, 8000 V, SILICON, SIGNAL DIODE
器件类别:
分立半导体
二极管
厂商名称:
EDI [Electronic devices inc.]
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参数
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
EDI [Electronic devices inc.]
包装说明
O-PALF-W2
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
20 V
JESD-30 代码
O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流
10 A
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
125 °C
最大输出电流
0.1 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
8000 V
最大反向恢复时间
0.2 µs
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
AXIAL
热门器件
BZX55C36-35T/B
1.5SMCJ8.0-AU-R2-10001
MMBZ5248A_R2_00001
SMA170CA
A2001WR-5P
A2541WR-2x29P-G50
A2004WV-4P-YL
A2012WVA-16P-H-LE
A2547WVB-S-2x31P-A
A3961WRC-10P-N7-P53M134Y55
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