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S1NB20

1 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:SHINDENGEN

厂商官网:https://www.shindengen.com

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器件:S1NB20

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
包装说明
R-PDSO-G4
针数
4
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.05 V
JESD-30 代码
R-PDSO-G4
JESD-609代码
e0
湿度敏感等级
2
最大非重复峰值正向电流
30 A
元件数量
4
相数
1
端子数量
4
最高工作温度
150 °C
最大输出电流
1 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
240
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
200 V
表面贴装
YES
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
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器件捷径:
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