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SD1100C12L

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1170A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-200AB, CERAMIC, BPUK-2

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:International Rectifier ( Infineon )

厂商官网:http://www.irf.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
DO-200AB
包装说明
O-CEDB-N2
针数
2
制造商包装代码
B-PUK
Reach Compliance Code
compliant
其他特性
HIGH SURGE CAPABILITY
应用
GENERAL PURPOSE
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.31 V
JEDEC-95代码
DO-200AB
JESD-30 代码
O-CEDB-N2
JESD-609代码
e0
最大非重复峰值正向电流
13600 A
元件数量
1
相数
1
端子数量
2
最高工作温度
180 °C
最大输出电流
1170 A
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状
ROUND
封装形式
DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
1200 V
表面贴装
YES
端子面层
TIN LEAD
端子形式
NO LEAD
端子位置
END
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
文档预览
International
Rectifier
Rectifiers and Insulated Gate Bipolar Transistors
Rectifiers (continued)
Standard Recovery Discrete Diodes (continued)
Mfr.Õs
Type
70HFR100
16FR120
70HFR120
85HFR120
85HFR160
40HF40
25F60
70HF60
1N3293
85HF80
SD600N08PC
SD400C12C
SD1100C12L
SD1100C16L
SD150N20PC
SD1100C25L
V
RRM
(V)
Ð1000
Ð1200
Ð1200
Ð1200
Ð1600
400
600
600
600
800
800
1200
1200
1600
2000
2500
I
F(AV)
Comp.
(A)
70
16
70
85
85
40
25
70
100
85
600
800
1170
1170
150
910
@ TC
(C¡)
140
140
140
140
110
140
120
140
130
140
92
55
55
55
125
55
V
FM
@ 25¡C
(V)
1.35
1.23
1.35
1.20
1.20
1.30
0.90
1.35
1.50
1.20
1.31
1.86
1.31
1.31
1.50
1.44
R
TH(JC)
(¡C/W)
Max.
0.450
1.600
0.450
0.350
0.350
1.000
1.500
0.450
0.400
0.350
0.100
0.073
0.050
0.050
0.230
0.050
Package
DO-5 (1/4)
DO-4 (10/32)
DO-5 (1/4)
DO-5 (1/4)
DO-5 (1/4)
DO-5 (1/4)
DO-4 (10/32)
DO-5 (1/4)
DO-8 (3/8)
DO-5 (1/4)
B-8C (3/4)
A-PUK (DO-200AA)
B-PUK (DO-200AB)
B-PUK (DO-200AB)
DO-30 (1/2)
B-PUK (DO-200AB)
Single-Phase and Three-Phase Bridge Rectifiers (cont.)
Mfr.Õs
Type*
36MT10
26MB20A
36MB20A
36MT20
36MB40A
36MT40
26MB60A
36MB60A
36MT60
26MB80A
36MB80A
36MT80
70MT80KB
26MB100A
36MB100A
36MT100
26MB120A
36MB120A
36MT120
36MT140
26MB160A
36MB160A
36MT160
110MT160KB
V
RRM
(V)
100
200
200
200
400
400
600
600
600
800
800
800
800
1000
1000
1000
1200
1200
1200
1400
1600
1600
1600
1600
I
FSM
(A)
420
350
420
420
420
420
350
420
420
350
420
420
70
350
420
420
350
420
420
420
350
420
420
110
@ T
C
(¡C)
60
65
60
60
60
60
65
60
60
65
60
60
85
65
60
60
65
60
60
60
65
60
60
90
I
O
(A)
35
25
35
35
35
35
25
35
35
25
35
35
70
25
35
35
25
35
35
35
25
35
35
110
Package
D-63
D-34A
D-34A
D-63
D-34A
D-63
D-34A
D-34A
D-63
D-34A
D-34A
D-63
INT-A-PAK
D-34A
D-34A
D-63
D-34A
D-34A
D-63
D-63
D-34A
D-34A
D-63
INT-A-PAK
Standard Recovery Rectifier Diodes
Mfr.Õs
Type
8EWS08S
10ETS08
10ETS08S
60EPS08
80EPS08
8EWS12S
20ETS12
40EPS12
60EPS12
V
RRM
(V)
800
800
800
800
800
1200
1200
1200
1200
I
F(AV)
@ T
C
= 105¡C
(A)
8
10
10
60
80
8
20
40
60
V
FM
@ I
FM
(V)
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
1.1
R
thJC
DC
(¡C/W)
3.00
2.50
2.50
0.45
0.35
3.00
1.30
0.55
0.45
Package
D-PAK
TO-220AC
D
2
PAK
TO-247
TO-247
D-PAK
TO-220AC
TO-247AC
TO-247
Standard Recovery Rectifiers
Mfr.Õs
Type*
70EPS08
85EPS08
70EPS12
85EPS12
V
RRM
(V)
800
800
1200
1200
@ T
C
(¡C)
70
85
70
85
V
FM
@ I
FM
(V)
1.15
1.15
1.15
1.15
I
FSM
(A)
900
1400
900
1400
Package
PowIRtab
PowIRtab
PowIRtab
PowIRtab
13
Fast Recovery Rectifier Diodes
8EWF04S
10ETF06
400
600
8
10
1.2
1.5
2.50
1.50
D-PAK
TO-220AC
Fast Recovery Rectifiers
70EPF02
85EPF02
70EPF04
85EPF04
70EPF06
85EPF06
70EPF08
85EPF08
70EPF10
85EPF10
70EPF12
85EPF12
200
200
400
400
600
600
800
800
1000
1000
1200
1200
70
85
70
85
70
85
70
85
70
85
70
85
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.40
1.40
1.40
1.40
1.40
1.40
600
800
600
800
600
800
700
1400
700
1400
700
1400
PowIRtab
PowIRtab
PowIRtab
PowIRtab
PowIRtab
PowIRtab
PowIRtab
PowIRtab
PowIRtab
PowIRtab
PowIRtab
PowIRtab
Single-Phase and Three-Phase Bridge Rectifiers
Mfr.Õs
Type*
36MB05A
26MB05A
26MB10A
36MB10A
V
RRM
(V)
50
50
100
100
I
FSM
(A)
420
350
350
420
MB series are isolated base types. MT series are three-phase. Must be used with suitable heatsink. UL recognized.
@ T
C
(¡C)
60
65
65
60
I
O
(A)
35
25
25
35
Package
D-34A
D-34A
D-34A
D-34A
Insulated Gate Bipolar Transistors
Mfr.Õs
Type
IRG4BC10UD
IRG4BC20W
IRG4BC20UD
IRG4BC20KD
IRG4BC30U
IRG4BC30UD
IRG4BC30S
IRG4BC40W
IRG4PC40W
IRG4PC40UD
IRG4PC40KD
*@ T
C
= 100¡C.
V
CES
Max. (V)
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
I
C
Max. @
25¡C (A)
8.5
13.0
13.0
16.0
23.0
23.0
34.0
40.0
40.0
40.0
42.0
P
D
Power
Dissipation
Max. (W)
38
60
60
60
100
100
100
160
160
160
160
Speed
Ultra-fast
Warp
Ultra-fast
Ultra-fast short circuit
Ultra-fast
Ultra-fast
Standard
Warp
Warp
Ultra-fast
Ultra-fast short circuit
Package
TO-220
TO-220
TO-220 CoPack
TO-220 CoPack
TO-220
TO-220 CoPack
TO-220
TO-220
TO-247
TO-247 CoPack
TO-247 CoPack
Mfr.Õs
Type
IRG4PC50KD
IRG4PC50U
IRG4PC50W
IRG4PC50UD
IRG4PC50S
IRG4PSC71UD
IRG4PSC71U
IRG4PF50W
IRG4PH30KD
IRG4PH40KD
IRG4PH50U
*@ T
C
= 100¡C.
V
CES
Max. (V)
600
600
600
600
600
600
600
900
1200
1200
1200
I
C
Max. @
25¡C (A)
52.0
55.0
55.0
55.0
80.0
60.0*
61.0*
51.0
20.0
30.0
45.0
P
D
Power
Dissipation
Max. (W)
200
200
200
200
200
350
350
200
100
160
200
Speed
Ultra-fast short circuit
Ultra-fast
Warp
Ultra-fast
Standard
Ultra-fast
Ultra-fast
Warp
Ultra-fast short circuit
Ultra-fast short circuit
Ultra-fast
Package
TO-247 CoPack
TO-247
TO-247
TO-247 CoPack
TO-247
Super247 Copack
Super247
TO-247
TO-247 CoPack
TO-247 CoPack
TO-247
818
b
ALLIED
Need Larger Quantity Prices? Call 1-800-433-5700 For Prompt Handling
查看更多>
参数对比
与SD1100C12L相近的元器件有:Q25.999-JXS11-30-30/30-LF、8EWF04S、SD1100C16L、SD600N08PC。描述及对比如下:
型号 SD1100C12L Q25.999-JXS11-30-30/30-LF 8EWF04S SD1100C16L SD600N08PC
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1170A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-200AB, CERAMIC, BPUK-2 Parallel - Fundamental Quartz Crystal, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 400V V(RRM), Silicon, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1170A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-200AB, CERAMIC, BPUK-2 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600A, 800V V(RRM), Silicon
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 O-CEDB-N2 SMD, 4 PIN R-PSSO-G2 O-CEDB-N2 O-MUPM-H1
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
JESD-609代码 e0 e4 e0 e0 e0
最高工作温度 180 °C 70 °C 150 °C 180 °C 180 °C
表面贴装 YES YES YES YES NO
端子面层 TIN LEAD GOLD OVER NICKEL Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD
零件包装代码 DO-200AB - TO-252AA DO-200AB -
针数 2 - 4 2 -
其他特性 HIGH SURGE CAPABILITY AT CUT - HIGH SURGE CAPABILITY HIGH SURGE CAPABILITY
应用 GENERAL PURPOSE - FAST SOFT RECOVERY GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE HIGH POWER
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.31 V - 1.2 V 1.31 V 1.31 V
JEDEC-95代码 DO-200AB - TO-252AA DO-200AB -
JESD-30 代码 O-CEDB-N2 - R-PSSO-G2 O-CEDB-N2 O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流 13600 A - 200 A 13600 A 13600 A
元件数量 1 - 1 1 1
相数 1 - 1 1 1
端子数量 2 - 2 2 1
最大输出电流 1170 A - 8 A 1170 A 600 A
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED METAL
封装形状 ROUND - RECTANGULAR ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON - SMALL OUTLINE DISK BUTTON POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - 245 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1200 V - 400 V 1600 V 800 V
端子形式 NO LEAD - GULL WING NO LEAD HIGH CURRENT CABLE
端子位置 END - SINGLE END UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 - - International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
目前MMS存在的主要技术问题及解决方法
(1)MMS手机本身的局限性问题:目前有少数厂商推出了支持MMS业务的彩屏手机,但价格高且可供选择...
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EAGLE 原理图 页面与页面之间 同一个名称的网络 用什么命令可以查找 页间同网络名称的pi...
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关于ise ,求助
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