SFH 2801
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
SFH 2801
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Si-PIN Fotodiode
q
Niedrige Sperrschicht- und Gehäuse-
Kapazitäten
q
Kurze Schaltzeit
q
Niedriger Dunkelstrom
q
Kathode galvanisch getrennt vom Gehäuse
Anwendungen
q
Optischer Sensor mit großer Modulations-
Bandbreite
q
Datenübertragung bis zu 565 Mbit/s
Features
q
Si-PIN-photodiode
q
Low junction and low package capacitance
q
Fast switching times
q
Low dark current
q
Cathode electrically isolated from case
Applications
q
Optical sensor of high modulation bandwidth
q
Data communication up to 565 Mbit/s
Typ
Type
SFH 2801
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P3018
Stecker/Flansch
Connector/Flange
TO-18, planes Glasfenster, hermetisch dichtes Ge-
häuse, Lötanschlüsse im 2.54 mm Raster (1/10")
TO-18, plane glass window, hermetically sealed pack-
age solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10")
Semiconductor Group
1
1998-10-06
fmx06406
SFH 2801
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Sperrspannung
Reverse voltage
Isolationsspannung zum Gehäuse
Isolation voltage to case
Betriebs- und Lagertemperaturbereich
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Wellen-/Tauchlötung)
(Lötstelle 2 mm von
Bodenplatte entfernt bei Lötzeit
t
≤
10 s)
Soldering temperature (wave/dip soldering)
in 2 mm distance from base plate (
t
≤
10 s)
Symbol
Symbol
Wert
Value
50
100
– 40 ... + 125
260
Einheit
Unit
V
V
°C
°C
V
R
V
IS
T
op
;
T
stg
T
S
Kennwerte
(T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
λ
= 850 nm
λ
= 950 nm
Anstiegs- und Abfallzeit
Rise and fall time
R
L
= 50
Ω,
V
R
= 50 V,
λ
= 850 nm
Sperrschicht-Kapazität bei
f
= 1 MHz
Junction capacitance at
f
= 1 MHz
V
R
= 0 V
V
R
= 1 V
V
R
= 12 V
V
R
= 20 V
Dunkelstrom
Dark current
V
R
= 20 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
λ
S max
850
Wert
Value
Einheit
Unit
nm
S
λ850
S
λ950
t
i
;
t
f
0.55 (≥ 0.45)
0.45
1
A/W
A/W
ns
C
0
C
1
C
12
C
20
I
D
13
7
3.3
3
1 (≤ 5)
pF
pF
pF
pF
nA
Semiconductor Group
2
1998-10-06
SFH 2801
Kennwerte
(T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm
Nachweisgrenze
Detection limit
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm
Temperaturkoeffizient von
I
P
Temperature coefficient of
I
P
Isolationsstrom
Isolation current
V
IS
= 100 V
Symbol
Symbol
Wert
Value
3.3
×
10
– 14
Einheit
Unit
W
√Hz
cm ·
√Hz
W
%/K
nA
NEP
D
*
3.1
×
10
12
TC
I
18
0.2
0.1 (≤ 1)
Semiconductor Group
3
1998-10-06
SFH 2801
Relative spectral sensitivity
S
=
f
(λ)
OHF00460
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
)
10
2
µ
A
OHF00462
S
rel
100
%
90
80
Ι
P
10
1
70
60
50
40
30
10
0
10
-1
20
10
0
400
600
800
nm 1000
L
10
-2
10
-3
10
-2
10
-1
mW/cm
2
E
10
1
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
)
10
2
nA
10
1
OHF00463
Dark current
I
R
=
f
(
T
A
)
E
= 0,
V
R
= 20 V
10
3
nA
10
2
OHF00464
Ι
R
Ι
R
10
1
10
0
10
0
10
-1
10
-1
10
-2
10
-2
10
-3
0
10
20
30
40 V 50
V
R
10
-3
-50
-25
0
25
50
75 ˚C 100
T
A
Semiconductor Group
4
1998-10-06
SFH 2801
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
)
10
5
nA
10
4
10
3
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
0
10
20
V
V
R
30
125 ˚C
100 ˚C
75 ˚C
50 ˚C
25 ˚C
OHF00465
Junction capacity
C
=
f
(
V
R
)
E
= 0,
f
= 1 MHz
12
pF
10
OHF00466
Ι
R
C
8
6
4
0 ˚C
-10 ˚C
2
0
-1
10
10
0
10
1
V 10
2
V
R
Semiconductor Group
5
1998-10-06
