SFH 309 P
SFH 309 PFA
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
SFH 309 P
SFH 309 PFA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Features
q
Especially suitable for applications from
Bereich von 380 nm bis 1180 nm
(SFH 309 P) und bei 880 nm (SFH 309 PFA)
q
Hohe Linearität
q
3 mm plane Plastikbauform im LED-Gehäuse
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
SFH 309 P
SFH 309 PFA
(*SFH 309 PF)
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P245
Q62702-P246
380 nm to 1180 nm (SFH 309 P) and of
880 nm (SFH 309 PFA)
q
High linearity
q
3 mm plane LED plastic package
q
Available in groups
Applications
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
01.97
feof6445
feo06445
SFH 309 P
SFH 309 PFA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
5 s
Dip soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
3 s
Iron soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Verlustleistung,
T
A
= 25
°
C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
260
Einheit
Unit
T
op
;
T
stg
T
S
°
C
°
C
T
S
300
°
C
V
CE
I
C
I
CS
P
tot
R
thJA
35
15
75
165
450
V
mA
mA
mW
K/W
Semiconductor Group
2
SFH 309 P
SFH 309 PFA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Symbol
Symbol
SFH 309 P
λ
S max
λ
860
Wert
Value
SFH 309 PFA
900
nm
nm
Einheit
Unit
380 ... 1180 730 ... 1120
Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240
µm)
A
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität,
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
0.045
0.45
×
0.45
0.4 ... 0.8
0.045
0.45
×
0.45
0.4 ... 0.8
mm
2
mm
×
mm
mm
L
×
B
L
×
W
H
ϕ
±
75
5.0
1 (≤ 200)
±
75
5.0
1 (≤ 200)
Grad
deg.
pF
nA
C
CE
I
CEO
Semiconductor Group
3
SFH 309 P
SFH 309 PFA
Bezeichnung
Description
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 309 P:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
= 20
µA
,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
≥
63
420
≥
6
µA
µA
µs
V
CEsat
150
mV
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Semiconductor Group
4
SFH 309 P
SFH 309 PFA
Relative spectral sensitivity,
SFH 309 P
S
rel
=
f
(λ)
Relative spectral sensitivity,
SFH 309 PFA
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(E
e
),
V
CE
= 5 V
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(V
CE
),
E
e
= Parameter
Dark current
I
CEO
=
f
(V
CE
),
E
= 0
Dark current
I
CEO
=
f
(T
A
),
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Capacitance
C
CE
=
f
(V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
/I
PCE25
o
=
f
(T
A
),
V
CE
= 5 V
Semiconductor Group
5
