GaAlAs-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)
SFH 480, SFH 481, SFH 482
SFH 480
SFH 481
SFH 482
Wesentliche Merkmale
• Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren
• Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Hermetisch dichtes Metallgehäuse
• SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216
• SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43
• SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38, BPX 65
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• IR-Gerätefernsteuerungen
• Sensorik
• Lichtgitter
Features
• GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
• Anode is electrically connected to the case
• High reliability
• Matches all Si-Photodetectors
• Hermetically sealed package
• SFH 480: Same package as SFH 216
• SFH 481: Same package as BPX 43
• SFH 482: Same package as BPX 38, BPX 65
Applications
•
•
•
•
Photointerrupters
IR remote control of various equipmet
Sensor technology
Light-grille barrier
2001-02-22
1
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Typ
Type
SFH 480
SFH 480-2/3
SFH 481
SFH 481-1/2
SFH 481-2/3
SFH 482
SFH 482-1/2
SFH 482-2/3
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1087
Q62703-Q5195
Q62703-Q1088
Q62703-Q4752
Q62703-Q4753
Q62703-Q1089
Q62703-Q4771
Q62703-Q4754
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mm-Raster
(
1
/
10
’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden
18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’),
cathode marking: projection at package
SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186
2001-02-22
2
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Grenzwerte
(
T
C
= 25 C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
SFH 480, SFH 482
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
SFH 481
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
10 s,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
m
=
°
Symbol
Symbol
Wert
Value
¼
¼
Einheit
Unit
°
°
°
T
op
;
T
stg
– 40
+ 125
C
T
op
;
T
stg
– 40
+ 100
C
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJC
100
5
200
2.5
470
450
160
C
V
mA
A
mW
K/W
K/W
Kennwerte
(
T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 480
SFH 481
SFH 482
°
Symbol
Symbol
l
peak
Wert
Value
880
Einheit
Unit
nm
80
nm
2001-02-22
3
±
±
±
lD
j
j
j
6
15
30
Grad
deg.
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Kennwerte
(
T
A
= 25 C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 480
SFH 481
SFH 482
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 s
Sperrstrom,
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of ,
I
F
= 100 mA
l
l
F
F
m
W
W
I
°
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.16
´
Einheit
Unit
mm
2
A
´
e
C
o
25
pF
12
mW
TC
I
– 0.5
%/K
TC
V
l
–2
+ 0.25
mV/K
nm/K
TC
2001-02-22
4
m
£
I
R
0.01 ( 1)
£
<
V
F
V
F
1.50 ( 1.8)
2.4 ( 3.0)
V
V
A
m
t
r
,
t
f
0.6/0.5
¼
¼
¼
H
H
H
´
L
L
B
W
0.4
0.4
mm
4.0
2.8
2.1
4.8
3.7
2.7
mm
mm
mm
s
F
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr
Grouping of Radiant Intensity
I
e
in Axial Direction
at a solid angle of = 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
SFH
480-2
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e max
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 s
Bezeichnung
Parameter
m
W
W
Wert
Value
SFH
480-3
SFH
481
SFH
481-1
SFH
481-2
Einheit
Unit
–
I
e typ
.
Symbol
Symbol
540
630
220
Wert
Value
SFH
482
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e max
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 s
1)
SFH
482-1
SFH
482-2
3.15
–
3.15
6.3
I
e typ
.
–
40
65
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der
Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, da bei der
Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche
austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese
Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken
gro er Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden
unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Me verfahren ergibt sich für den Anwender eine besser
verwertbare Grö e. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die
Typenbezeichnung angehängt ist.
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial
direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity.
Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection
of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the
component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure
corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800”
added to the type designation.
5
1)
2001-02-22
b
³
> 40
–
> 63
–
10
10
20
16
–
mW/sr
mW/sr
130
220
mW/sr
Einheit
Unit
SFH
482-3
SFH
482-M
E 7800
1)
5
10
8
–
1.6 ... 3.2 mW/sr
–
mW/sr
b
³
80
–
mW/sr
m
b
b
