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SI5335D-B05338-GM

4-OUTPUT, ANY FREQUENCY(<200MHZ)

器件类别：嵌入式处理器和控制器微控制器和处理器

厂商名称：Silicon Laboratories Inc

器件标准： Rohs认证

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参数

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

符合

厂商名称

Silicon Laboratories Inc

包装说明

HVQCCN,

Reach Compliance Code

unknown

其他特性

ALSO OPERATES AT 2.5V AND 3.3V NOMINAL SUPPLY

JESD-30 代码

S-XQCC-N24

JESD-609代码

长度

4 mm

端子数量

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

最大输出时钟频率

200 MHz

封装主体材料

UNSPECIFIED

封装代码

HVQCCN

封装形状

SQUARE

封装形式

CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE

峰值回流温度（摄氏度）

260

主时钟/晶体标称频率

200 MHz

座面最大高度

0.9 mm

最大供电电压

1.98 V

最小供电电压

1.71 V

标称供电电压

1.8 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

INDUSTRIAL

端子面层

Gold (Au)

端子形式

NO LEAD

端子节距

0.5 mm

端子位置

QUAD

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

宽度

4 mm

uPs/uCs/外围集成电路类型

CLOCK GENERATOR, PROCESSOR SPECIFIC

热门器件

简洁的过零调功器电路设计与分析单稳态控制电路设计与分析光控电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式比较常见的功率整流器和滤波电路一个简单的红外耳机电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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