型号

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关键词

SMBG160CAE3/TR13

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 160V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBG, 2 PIN

器件类别：分立半导体二极管

厂商名称：Microsemi

厂商官网：https://www.microsemi.com

器件标准： Rohs认证无铅标识

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参数

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

厂商名称

Microsemi

零件包装代码

DO-215AA

包装说明

R-PDSO-G2

针数

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

最大击穿电压

197 V

最小击穿电压

178 V

配置

SINGLE

二极管元件材料

SILICON

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

JEDEC-95代码

DO-215AA

JESD-30 代码

R-PDSO-G2

JESD-609代码

湿度敏感等级

最大非重复峰值反向功率耗散

600 W

元件数量

端子数量

最高工作温度

150 °C

最低工作温度

-65 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

峰值回流温度（摄氏度）

260

极性

BIDIRECTIONAL

最大功率耗散

1.38 W

最大重复峰值反向电压

160 V

表面贴装

YES

技术

AVALANCHE

端子面层

MATTE TIN

端子形式

GULL WING

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

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器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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