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SMBJ58

600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:GE Sensing ( Amphenol Advanced Sensors )

厂商官网:http://www.vishay.com/

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器件:SMBJ58

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器件参数
参数名称
属性值
端子数量
2
元件数量
1
最大击穿电压
78.7 V
最小击穿电压
64.4 V
加工封装描述
塑料 PACKAGE-2
状态
DISCONTINUED
包装形状
矩形的
包装尺寸
SMALL OUTLINE
表面贴装
Yes
端子形式
C BEND
端子涂层
锡 铅
端子位置
包装材料
塑料/环氧树脂
工艺
AVALANCHE
结构
单一的
二极管元件材料
最大功耗极限
1.38 W
极性
单向
二极管类型
TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管
关闭电压
58 V
最大非重复峰值转速功率
600 W
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