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SMBJ60

600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Microsemi

厂商官网:https://www.microsemi.com

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器件:SMBJ60

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Microsemi
零件包装代码
DO-214AA
包装说明
R-PDSO-J2
针数
2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最大击穿电压
81.5 V
最小击穿电压
66.7 V
击穿电压标称值
74.1 V
最大钳位电压
107 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码
DO-214AA
JESD-30 代码
R-PDSO-J2
湿度敏感等级
1
最大非重复峰值反向功率耗散
600 W
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-65 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
1.38 W
最大重复峰值反向电压
60 V
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子形式
J BEND
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
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