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SMBJP6KE43AE3

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 36.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：Microsemi

厂商官网：https://www.microsemi.com

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参数
器件参数
参数名称
属性值
包装说明
R-PDSO-C2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最大击穿电压
45.2 V
最小击穿电压
40.9 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码
DO-214AA
JESD-30 代码
R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散
600 W
元件数量
1
端子数量
2
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
1.38 W
最大重复峰值反向电压
36.8 V
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子形式
C BEND
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
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器件捷径:
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