SMDA03C-4-2E3/TR13,SMDA03C-4-2E3/TR13 pdf中文资料,SMDA03C-4-2E3/TR13引脚图,SMDA03C-4-2E3/TR13电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与SMDA03C-4-2E3/TR13相近的元器件有：SMDA12C-4-2E3/TR13、SMDA15C-4-2E3/TR7、SMDA24C-4-2/TR13。描述及对比如下：

型号	SMDA03C-4-2E3/TR13	SMDA12C-4-2E3/TR13	SMDA15C-4-2E3/TR7	SMDA24C-4-2/TR13
描述	Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 3.3V V(RWM), Bidirectional, 4 Element, Silicon, PLASTIC, SO-8	Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 12V V(RWM), Bidirectional, 4 Element, Silicon, PLASTIC, SO-8	Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 15V V(RWM), Bidirectional, 4 Element, Silicon, PLASTIC, SO-8	Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 24V V(RWM), Bidirectional, 4 Element, Silicon, PLASTIC, SO-8
是否Rohs认证	符合	符合	符合	不符合
厂商名称	Microsemi	Microsemi	Microsemi	Microsemi
包装说明	PLASTIC, SO-8	PLASTIC, SO-8	PLASTIC, SO-8	PLASTIC, SO-8
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	COMMON BIDIRECTIONAL ELEMENT, LOW CAPACITANCE	COMMON BIDIRECTIONAL ELEMENT, LOW CAPACITANCE	COMMON BIDIRECTIONAL ELEMENT, LOW CAPACITANCE	COMMON BIDIRECTIONAL ELEMENT, LOW CAPACITANCE
最小击穿电压	4 V	13.3 V	16.7 V	26.7 V
配置	COMMON BIPOLAR TERMINAL, 4 ELEMENTS	COMMON BIPOLAR TERMINAL, 4 ELEMENTS	COMMON BIPOLAR TERMINAL, 4 ELEMENTS	COMMON BIPOLAR TERMINAL, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
最大非重复峰值反向功率耗散	300 W	300 W	300 W	300 W
元件数量	4	4	4	4
端子数量	8	8	8	8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	3.3 V	12 V	15 V	24 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
JESD-609代码	e3	e3	e3	-
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	-

为什么我就考不了高分呢！: 为什么我就考不了高分呢！ 60还不够吗? 又没有相关的奖励措施... 楼主的实力并不需要用高分来证...; dontium 模拟与混合信号

单片机里的一个错误请教: F:\\警报器程序与线路图\\二代警报器\\程序\\程序ok\\pic16f628 程序\\f628...; cooler1981 嵌入式系统

摄像头、指纹识别、DS18B20、l298n四个模块结合起来可以做出怎样的创新性的东西？: 创新创意想法：摄像头、指纹识别模块、DS18B20和L298N四个模块，结合起来可以做一个怎样的比...; 燕园技术宅传感器

Platform 配置环境后出现的fatal error U1077错误: Building combined coredll res file for 0409 re...; amountain 嵌入式系统

wifi模块搜索不到网络？: 我们的开发板上的wifi模块突然就搜索不到网络不知道是什么原因是模块坏了吗但是开发板是可以发...; real010 嵌入式系统

大电流输出并联2个MOS管如何均流，MOS管所选封装是不是太小了？: 看到一个汽车的PDU域控主板，上面有两路120A的输出是经过4个MOS管（用的是捷捷微电子...; lkh747566933 汽车电子

昆山“8.2爆炸事故”：一场原本可以避免的悲剧

　　2014年8月2日是“七夕”—“中国的情人节”，但是，有69个生命跟他们的亲人永别了。7时35分许，昆山中荣金属制品有限公司发生一起疑似因粉尘爆炸引发的安全生产责任事故。截至当日20时30分，已有69人不幸遇难，100余名伤者正在医院进行救治。　　安全事故不时发生，暴露出企业安全生产管理存在着种种漏洞，更突显出相关安全生产监管的缺位与乏力。　　一位熟悉企业情况的人士透露，这家企业污染很厉...[详细]
Cortex M3 NVIC与中断控制

一、NVIC概览 ——嵌套中断向量表控制器 NVIC 的寄存器以存储器映射的方式来访问，除了包含控制寄存器和中断处理的控制逻辑之外， NVIC 还包含了 MPU、 SysTick 定时器以及调试控制相关的寄存器。NVIC 共支持 1 至 240 个外部中断输入（通常外部中断写作 IRQs）。具体的数值由芯片厂商在设计芯片时决定。此外， NVIC 还支持一个“永垂不朽”的不可屏蔽中断（ NMI）...[详细]
中科飞测椭偏膜厚量测仪搬入厦门士兰集科，首批设备进场

继士兰微电子12英寸特色工艺半导体芯片项目于5月10日宣布正式通电后，工艺设备也将开始陆续进场。据集微网获悉，昨日（5月20日），深圳中科飞测科技有限公司（以下简称“中科飞测”）椭偏膜厚量测仪作为首批设备，正式搬入厦门士兰集科微电子有限公司（以下简称“士兰集科”）。中科飞测是一家以在集成电路设备领域有多年经验的研发和管理团队为核心，自主研发和生产工业智能检测装备的高科技创新企业。同时，中科飞...[详细]
stm32中断解释

一，中断优先级： STM32(Cortex-M3)中的优先级概念 STM32(Cortex-M3)中有两个优先级的概念——抢占式优先级和响应优先级，有人把响应优先级称作'亚优先级'或'副优先级'，每个中断源都需要被指定这两种优先级。具有高抢占式优先级的中断可以在具有低抢占式优先级的中断处理过程中被响应，即中断嵌套，或者说高抢占式优先级的中断可以嵌套低抢占式优先级...[详细]
我国重点参与的云计算国际标准正式发布

近日，由中国等国家成员体推动立项并重点参与的两项云计算国际标准——ISO/IEC 17788:2014《信息技术云计算概述和词汇》和ISO/IEC 17789:2014《信息技术云计算参考架构》正式发布，这标志着云计算国际标准化工作进入了一个新阶段。　　这是国际标准化组织(ISO)、国际电工委员会(IEC)与国际电信联盟(ITU)三大国际标准化组织首次在云计算领域联合制定标准，由...[详细]
DIY制作：图文详解逆变器电路制作过程

　　这里介绍的逆变器（见图1）主要由MOS 场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS 场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。　　1.电路图　　　　2.工作原理　　这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。　　2.1.方波信号发生器（见图2）　　　　图2 方波...[详细]
ADI推出零漂移精密运算放大器简化电路板设计

Analog Devices, Inc. 最近发布全新系列高电压、低噪声、零漂移精密运算放大器的首款器件 ADA4522-2，该系列产品片上集成电磁干扰 (EMI) 滤波能力，无需校准电路，从而降低系统噪声、成本、缩小电路板空间并缩短开发时间。双通道运算放大器 ADA4522-2 工作电源电压范围为4.5 V至55 V，噪声性能比最接近的竞争产品高出至少35%。新器件兼具精密运算放大器的易...[详细]
立足中国放眼全球金立的“智能”之路

金立董事长刘立荣智能手机时代，国产手机再次涌现出一批优秀的企业，夺取了不菲的市场份额。但相比大多数厂商通过千元智能机走量，金立则是凭借对市场节奏的把握，获得极大的成功。2011年11月金立一口气推出了7款智能手机，并在之后的两个月之内陆续上市。这批新品从面向年轻用户的“e-life”系列到面向商务人士的“天鉴”系列，对入门级到高端区间进行了全面覆盖。金立虽然起步不早...[详细]
单片机虚拟实验室的建立

摘要：单片机应用技术所涉及到的实验实践环节比较多，而且硬件投入比较大。在具体的工程实践中，如果因为方案有误而进行相应的开发设计，会浪费较多的时间和经费。本文以学校单片机课程的实验教学为背景，较为全面地阐述采用仿真实验的方法。关键词：proteus软件单片机仿真虚拟实验室引言　　单片机课程是机电、自动化等专业的一门重要课程，可以充分体现学生利用已学知识解决实际工程问题的能力。由...[详细]
抢占指纹识别市场，人脸识别技术路漫漫

虽然人脸识别在市场的份额上，迎来了盼望已久的爆发，但是这并不意味着阻碍人脸识别发展的一切因素就已经烟消云散。技术上一些公认的硬伤，依然在给人脸识别的应用带来了不少的隐患。　　作为在全球拥有几亿用户的社交网站推出自动识别照片人物这一人脸识别技术，引发新一轮的隐私泄露担忧。另外，谷歌Picasa和苹果iPhoto等照片软件和在线服务也使用人脸识别技术。Facebook、谷歌Picasa和苹果拥有...[详细]
专家称LTE终端芯片价格过高尚难实现规模商用

C114讯 9月29日早间消息，在日前召开的“新一代宽带无线移动通信发展论坛”上，工业和信息化部电信研究院通信信息所副总工胡珊表示，截止到2012年8月，LTE全球用户总占比只有0.5%，但明显超越了3G商用初期的发展水平。　　“LTE只用三年半的时间实现了2000万用户的规模，这个速度是远远快于2G和3G水平的。” 胡珊说。　　在胡珊看来，LTE的快速成熟与系统设备和终端的快速成熟都...[详细]
红外线快速水分测定仪

1 红外线快速水分测定仪概述2 红外线快速水分测定仪特点3 红外线快速水分测定仪技术指标 1红外线快速水分测定仪概述　　红外加热单元和水分蒸发通道快速干燥样品，在干燥过程中，水分仪持续测量并即时显示样品丢失的水分含量，干燥程序完成后，最终测定的水分含量值被锁定显示。与国际烘箱加热法相比，红外加热可以最短时间内达到最大加热功率，在高温下样品快速被干燥，其检测结果与国标烘箱法具有良好的一致性...[详细]
PIC单片机内部A/D转换

//需求，将板子上电位器接RA0，设置PIC的AD相关寄存器，显示电压 #include pic.h __CONFIG(0x3831);//配置位18323831 #define uint unsigned int #define uchar unsigned char //共阴数码管（板子上用了达林顿管ULN2003，反向器） const unsigned char table ={0x3f...[详细]
AVR单片机教程——点亮第一个LED

做了这么多准备，我们终于可以开始用开发板做点事了。单片机编程与计算机编程有一些不同点。程序都要有零个或多个输入、一个或多个输出，这是两者都有的，但是计算机编程的输入输出主要靠控制台，而单片机没有。单片机的英文是microcontroller，主要作控制用途，它对设备的控制就是它的输出，从设备读取的信息就是它的输入。计算机编程中，提供了scanf、printf等函数来做输入输出，单片机...[详细]
高分辨率数字电位器 X9241 的软件实现

　　引言　　与机械电位器相比，数字电位器有许多优点。但是在有些应用场合，数字电位器的分辨率往往达不到设计要求，通常最大抽头数为1 024。以X9241为例，内部包括一个I2C接口和4个64抽头的数字电位器，可独立使用，也可串联使用，如按常规方法使用，其分辨率较低，即使4个电位器串联，也只能达到256个抽头。本文提出了一种软件、硬件结合的方法，可使电位器的中间抽头数达到8 001个，分辨率...[详细]