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SMLJ10

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:International Semiconductor Inc

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
International Semiconductor Inc
包装说明
R-PDSO-C2
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
其他特性
LOW INDUCTANCE
最大击穿电压
13.6 V
最小击穿电压
11.1 V
击穿电压标称值
12.4 V
最大钳位电压
18.8 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码
R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散
3000 W
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-65 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性
UNIDIRECTIONAL
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
10 V
最大反向电流
5 µA
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子形式
C BEND
端子位置
DUAL
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