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SMMBD914LT1G

反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 10mA

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:ON Semiconductor(安森美)

厂商官网:http://www.onsemi.cn

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器件:SMMBD914LT1G

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
ON Semiconductor
是否无铅
不含铅
厂商名称
ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码
SOT-23
包装说明
HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数
3
制造商包装代码
318-08
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
1 week
Samacsys Description
High-Speed Switching Diode
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1 V
JEDEC-95代码
TO-236
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
最大非重复峰值正向电流
0.5 A
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
0.2 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
最大功率耗散
0.225 W
最大重复峰值反向电压
100 V
最大反向恢复时间
0.004 µs
表面贴装
YES
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
参数对比
与SMMBD914LT1G相近的元器件有:SMMBD914LT3G、MMBD914LT3G。描述及对比如下:
型号 SMMBD914LT1G SMMBD914LT3G MMBD914LT3G
描述 反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 10mA 反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 10mA 反向恢复时间(trr):4ns 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 10mA 100V,200mA,trr=4ns,VF=1V@10mA,PD=300mW
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数 3 3 3
制造商包装代码 318-08 318-08 318-08
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 1 week 4 weeks 1 week
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V
JEDEC-95代码 TO-236 TO-236 TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260
最大功率耗散 0.225 W 0.225 W 0.225 W
最大重复峰值反向电压 100 V 100 V 100 V
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40
最大非重复峰值正向电流 0.5 A 0.5 A -
Base Number Matches - 1 1
热门器件
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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