首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

SMSJ22A

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 22V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Microsemi

厂商官网:https://www.microsemi.com

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
Objectid
1167270017
包装说明
R-PDSO-J2
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
最大击穿电压
26.9 V
最小击穿电压
24.4 V
击穿电压标称值
24 V
最大钳位电压
35.5 V
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码
DO-214AA
JESD-30 代码
R-PDSO-J2
JESD-609代码
e0
最大非重复峰值反向功率耗散
600 W
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-65 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性
UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压
22 V
表面贴装
YES
技术
AVALANCHE
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子位置
DUAL
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
需要登录后才可以下载。
登录取消