SN74CBT16245DLR,SN74CBT16245DLR pdf中文资料,SN74CBT16245DLR引脚图,SN74CBT16245DLR电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与SN74CBT16245DLR相近的元器件有：74CBT16245DGGRE4、SN74CBT16245DL、SN74CBT16245DGVR、SN74CBT16245DLG4、SN74CBT16245DGGR、74CBT16245DGVRG4、74CBT16245DGGRG4。描述及对比如下：

型号	SN74CBT16245DLR	74CBT16245DGGRE4	SN74CBT16245DL	SN74CBT16245DGVR	SN74CBT16245DLG4	SN74CBT16245DGGR	74CBT16245DGVRG4	74CBT16245DGGRG4
描述	16-Bit FET Bus Switch 48-SSOP -40 to 85	16-Bit FET Bus Switch 48-TSSOP -40 to 85	16-Bit FET Bus Switch 48-SSOP -40 to 85	16-Bit FET Bus Switch 48-TVSOP -40 to 85	16-Bit FET Bus Switch 48-SSOP -40 to 85	16-Bit FET Bus Switch 48-TSSOP -40 to 85	16-Bit FET Bus Switch 48-TVSOP -40 to 85	16-Bit FET Bus Switch 48-TSSOP -40 to 85
Brand Name	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	SSOP	TSSOP	SSOP	SOIC	SSOP	TSSOP	SOIC	TSSOP
包装说明	SSOP, SSOP48,.4	TSSOP, TSSOP48,.3,20	SSOP, SSOP48,.4	TSSOP, TSSOP48,.25,16	SSOP, SSOP48,.4	TSSOP, TSSOP48,.3,20	TSSOP, TSSOP48,.25,16	TSSOP, TSSOP48,.3,20
针数	48	48	48	48	48	48	48	48
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
其他特性	TTL COMPATIBLE BUS SWITCH	TTL COMPATIBLE BUS SWITCH	TTL COMPATIBLE BUS SWITCH	TTL COMPATIBLE BUS SWITCH	TTL COMPATIBLE BUS SWITCH	TTL COMPATIBLE BUS SWITCH	TTL COMPATIBLE BUS SWITCH	TTL COMPATIBLE BUS SWITCH
系列	CBT/FST/QS/5C/B	CBT/FST/QS/5C/B	CBT/FST/QS/5C/B	CBT/FST/QS/5C/B	CBT/FST/QS/5C/B	CBT/FST/QS/5C/B	CBT/FST/QS/5C/B	CBT/FST/QS/5C/B
JESD-30 代码	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4
长度	15.88 mm	12.5 mm	15.88 mm	9.7 mm	15.875 mm	12.5 mm	9.7 mm	12.5 mm
逻辑集成电路类型	BUS DRIVER	BUS DRIVER	BUS DRIVER	BUS DRIVER	BUS DRIVER	BUS DRIVER	BUS DRIVER	BUS DRIVER
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	1	1	1
位数	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	2	2	2	2	2	2	2	2
端口数量	2	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	48	48	48	48	48	48	48	48
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
输出极性	TRUE	TRUE	TRUE	TRUE	TRUE	TRUE	TRUE	TRUE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SSOP	TSSOP	SSOP	TSSOP	SSOP	TSSOP	TSSOP	TSSOP
封装等效代码	SSOP48,.4	TSSOP48,.3,20	SSOP48,.4	TSSOP48,.25,16	SSOP48,.4	TSSOP48,.3,20	TSSOP48,.25,16	TSSOP48,.3,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
传播延迟（tpd）	0.35 ns	0.35 ns	0.35 ns	0.35 ns	0.35 ns	0.35 ns	0.35 ns	0.35 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.79 mm	1.2 mm	2.79 mm	1.2 mm	2.79 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4 V	4 V	4 V	4 V	4 V	4 V	4 V	4 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	4.5 V	5 V	4.5 V	4.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.635 mm	0.5 mm	0.635 mm	0.4 mm	0.635 mm	0.5 mm	0.4 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.49 mm	6.1 mm	7.49 mm	4.4 mm	7.49 mm	6.1 mm	4.4 mm	6.1 mm
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	-
Factory Lead Time	1 week	6 weeks	1 week	1 week	-	1 week	6 weeks	-
控制类型	ENABLE LOW	ENABLE LOW	ENABLE LOW	ENABLE LOW	ENABLE LOW	ENABLE LOW	ENABLE LOW	-
计数方向	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	-
包装方法	TR	TR	TUBE	TR	-	TR	TR	-
最大电源电流（ICC）	0.003 mA	0.003 mA	0.003 mA	0.003 mA	0.003 mA	0.003 mA	0.003 mA	-
Prop。Delay @ Nom-Su	0.25 ns	0.25 ns	0.25 ns	0.25 ns	0.25 ns	0.25 ns	0.25 ns	-
翻译	N/A	N/A	N/A	N/A	N/A	N/A	N/A	-
厂商名称	-	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)

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用数据说明消费者如何看待未来人工智能发展趋势

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使用LabVIEW与NI FlexRIO实现基于FPGA的单原子反馈控制

　　挑战: 　　开发一种定制的时域数字转换器来研究光与物质相互作用的基本量子性质。　　解决方案: 　　使用 NI 公司的 FlexRIO 与 Labview FPGA 模块来创建强大的，多功能的定制仪器，从而使我们可以用硬件实现时间严格任务的实时处理。这样可以实现对极小系统的反馈控制，甚至于单个原子与单个光子的相互作用。　　反馈是控制动态系统最强有力的技术之一。我们实验室研究的...[详细]
新版Redmi K30 5G入网主摄降为4800万像素,售价1700起

Redmi于2019年12月份推出了K30 5G，它以1999元的起售价将5G手机带到了2000元市场，成为当时价格最低的5G手机。　　时隔不到半年时间，5G手机价格要再一次下探。4月30日消息，新版Redmi K30 5G入网。　　工信部网站显示，新版Redmi K30的主要变化是主摄由6400万降为4800万像素，其它规格保持不变。　　之前中国移动内部文件显示，小米公司与中国...[详细]
新建工程模板-库函数

一,为什么要使用库函数　　51单片机开发一般采用直接操作寄存器方式:如 P0=0x01;//51单片机8位　　STM32开发也可以采用直接操作寄存器的方式:如 GPIO- BRR=0x0001 //STM32单片机16位　　由于STM32芯片包含数百个寄存器,直接操作寄存器需要全部记下来,难度较大　　所以官方推出了一套封装了底层寄存器操作的固件库,提供一套...[详细]
MSP430单片机的位操作

　　MSP430单片机属于RISC(Reduced Instruction Set Computer)型处理器。与普通的51单片机的复杂指令集相区别。普通51单片机执行一条指令最少需要12个时钟周期，而RISC单片机最少仅需1个时钟周期。RISC处理器带来的最大不同就是不能进行位操作，内存寻址只能到字不能到位。打个比方，一栋楼只有一个邮政编码，快递员送东西只能送到楼，显然比送到户要快，但具体是那户...[详细]
18脉波H级绝缘干式整流变压器

　　1 引言　　工业用的直流电源大部分都是由交流电网通过整流变压器与整流器所组成的整流设备而得到的，并广泛应用于冶金、化工和牵引等领域，如城市轨道交通、轧钢电机的直流传动、同步电机的直流励磁等。整流变压器的作用是将交流电网电压变换成整流装置所需要的电压，并通过相数和相位角的变换，改善交流和直流侧的运行特性。整流变压器可将整流设备与电网电路隔离开来，确保设备的安全，并且限制短路电流，减少整流设...[详细]
电动化和自动驾驶时代，未来汽车机械连接都可能会被电动机取代

回顾汽车电气化的发展历史，近十几年有一项技术革命极大影响了汽车制造业，那只是小小的EPS（电子助力转向）。最早汽车转向是液压助力的，到今天十几年间几乎已经看不到液压助力了，全部被EPS所取代。EPS这就是典型用电动机代替机械连接的一项技术。但在汽车越来越大型化、豪华化，以及电动化和未来的自动驾驶时代，EPS只是电动机应用的冰山一角——未来汽车非常多机械连接都会被电动机所取代。...[详细]
精确靶向放射治疗可以治愈部分恶性肿瘤

　　一项正在进行中的临床实验首次发表报告显示，精确靶向放射治疗可以治愈已有部分器官转移的恶性肿瘤。该报告已经发表在2008年8月15日出版的《临床癌症研究》杂志上。在该报告中，来自美国芝加哥大学医学中心的研究者们表示，靶向放射治疗可以彻底消除21%的已有5处或以下转移灶的癌症患者的所有症状和体征。　　芝加哥大学医学中心放射与细胞肿瘤学教授、该研究的领导者之一Ralph Weichse...[详细]
Nand Flash编程应用难点浅析

Nand Flash存储器是flash存储器的一种，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，如嵌入式产品中包括数码相机、记忆卡、体积小巧的U盘等。 1989年，东芝公司发表了Nand Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。经过十几年的发展，NAND应用越来越广泛，但是大...[详细]
Android设备收集用户位置数据，谷歌不给一个说法？

即便在用户在设备设置中禁用应用的定位服务， Android设备依旧向谷歌公司发送基站位置数据。 Quartz称，根据他们的观察，即便在设备被恢复到出厂默认设置的情况下，位置数据依旧会被发送给谷歌。每当用户进入一座新的基站覆盖范围内，支持蜂窝或WiFi网络的Android设备就会向谷歌发送数据，包括没有安装SIM卡的设备。 Quartz表示，Android用户目前没有方法阻止他们...[详细]
英飞凌科技携手上汽集团在华成立功率半导体合资企业

　　上海汽车集团股份有限公司(以下简称“上汽集团”)和英飞凌科技股份公司(以下简称“ 英飞凌 ”)今日宣布成立合资企业，为中国充满活力的电动汽车市场制造功率模块。上汽集团持股51%，英飞凌持股49%。合资公司命名为“上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司”，总部设在上海，生产基地位于英飞凌无锡工厂扩建项目内，计划在2018下半年开始批量生产。下面就随汽车电子小编一起来了解一下相关内...[详细]
便携式动态心电信号数据采集器的设计

摘要 便携式动态心电信号数据采集器是现代动态心电图分析系统的重要组成设备。介绍以单片机为核心的智能心电数据采集系统的原理，详细论述了硬件设计的要点及数据预处理软件的有关算法。关键词：单片机心电信号数据采集心电图是心脏疾病诊断的重要工具之一，然而在临床中一些心脏病患者在短时间内其心电图并无异常。这样就要花相当长...[详细]
只用串口和网络裸机开发ARM程序（OK6410开发板）

最近要学习ARM开发板，想按着单片机的套路，首先开发裸机程序。百度了下，大部分的裸机程序都是用RVDS或者ADS开发，用JLink 或者JTag烧写到Sdram中去执行。由于在ubuntu下使用习惯了，想脱离集成开发环境，所以在Linux下使用arm-linux-gcc 等工具开发。首先遇到的问题就是开发好的二进制文件怎么烧到板子上运行呢？百度上给出的大部分方法是通过Uboot 来烧写，用...[详细]
STM32 GPIO应用笔记

1 STM32的输入输出管脚有下面8种可能的配置：（4输入+2输出+2复用输出） ① 浮空输入_IN_FLOATING ② 带上拉输入_IPU ③ 带下拉输入_IPD ④ 模拟输入_AIN ⑤ 开漏输出_OUT_OD ⑥ 推挽输出_OUT_PP ⑦ 复用功能的推挽输出_AF_PP ⑧ 复用功能的开漏输出_AF_OD 1.1 ...[详细]
大直流电流精确测量的实现

　　虽然有许多仪器可以精确地测量小的直流电流（最大3A），但很少有仪器可以精确地（好于1%）测量50A以上的直流电流。这么大的电流范围是电动汽车（EV）、电网能量存储和光伏（光电）可再生能源装置等的负载典型值。另外，这些系统需要精确地预测相关能量存储电池的电荷状态（SOC）。对电荷状态的估计可以根据电流和电荷（库伦计数）测量实现，而精确的测量数据对于精确的电荷状态估计来说是必要条件。　　一般来说...[详细]