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SST39VF400A-70-4I-M1QE

NOR Flash 2.7V to 3.6V 4Mb Multi-Purpose Flash

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Microchip(微芯科技)

厂商官网:https://www.microchip.com

器件标准:

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供应商:

器件:SST39VF400A-70-4I-M1QE

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Microchip(微芯科技)
零件包装代码
DSBGA
包装说明
4 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-207C2B-4, WFBGA-48
针数
48
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
70 ns
命令用户界面
YES
通用闪存接口
YES
数据轮询
YES
JESD-30 代码
R-PBGA-B48
JESD-609代码
e1
长度
6 mm
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
16
湿度敏感等级
3
功能数量
1
部门数/规模
128
端子数量
48
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
256KX16
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
VFBGA
封装等效代码
BGA48,6X11,20
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
3/3.3 V
编程电压
2.7 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
0.73 mm
部门规模
2K
最大待机电流
0.00002 A
最大压摆率
0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
2.7 V
标称供电电压 (Vsup)
3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
0.5 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
40
切换位
YES
类型
NOR TYPE
宽度
4 mm
参数对比
与SST39VF400A-70-4I-M1QE相近的元器件有:SST39VF800A-90-4I-B3KE-T、SST39VF400A-70-4I-M1QE-T、SST39VF400A-70-4C-C1QE、SST39VF800A-70-4I-M1QE。描述及对比如下:
型号 SST39VF400A-70-4I-M1QE SST39VF800A-90-4I-B3KE-T SST39VF400A-70-4I-M1QE-T SST39VF400A-70-4C-C1QE SST39VF800A-70-4I-M1QE
描述 NOR Flash 2.7V to 3.6V 4Mb Multi-Purpose Flash Flash Memory 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash Flash Memory 2.7V to 3.6V 4Mb Multi-Purpose Flash Flash Memory 2.7V to 3.6V 4Mb Multi-Purpose Flash Flash Memory 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash
是否无铅 不含铅 - 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合 符合
厂商名称 Microchip(微芯科技) - Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技)
零件包装代码 DSBGA - - DSBGA DSBGA
包装说明 4 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-207C2B-4, WFBGA-48 - - 4 X 6 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MO-207CZB-4, XFLGA-48 VFBGA, BGA48,6X11,20
针数 48 - - 48 48
Reach Compliance Code compliant - compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99
最长访问时间 70 ns - 70 ns 70 ns 70 ns
命令用户界面 YES - YES YES YES
通用闪存接口 YES - YES YES YES
数据轮询 YES - YES YES YES
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 - R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48
JESD-609代码 e1 - e1 e1 e1
长度 6 mm - - 6 mm 6 mm
内存密度 4194304 bit - 4194304 bit 4194304 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 FLASH - FLASH FLASH FLASH
内存宽度 16 - 16 16 16
湿度敏感等级 3 - 3 - 3
功能数量 1 - - 1 1
部门数/规模 128 - 128 128 256
端子数量 48 - 48 48 48
字数 262144 words - 262144 words 262144 words 524288 words
字数代码 256000 - 256000 256000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS - - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - 85 °C 70 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C - -40 °C
组织 256KX16 - 256KX16 256KX16 512KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA - FBGA VFLGA VFBGA
封装等效代码 BGA48,6X11,20 - BGA48,6X11,20 LGA48,6X11,20 BGA48,6X11,20
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH - GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260 260 260
电源 3/3.3 V - 3/3.3 V 3/3.3 V 3/3.3 V
编程电压 2.7 V - - 2.7 V 2.7 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 0.73 mm - - 0.52 mm 0.73 mm
部门规模 2K - 2K 2K 2K
最大待机电流 0.00002 A - 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A
最大压摆率 0.03 mA - 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - - 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V - - 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V - - 3 V 3 V
表面贴装 YES - YES YES YES
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL - INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 BALL - BALL BUTT BALL
端子节距 0.5 mm - 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 BOTTOM - BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 - 40 40 40
切换位 YES - YES YES YES
类型 NOR TYPE - NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 4 mm - - 4 mm 4 mm
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