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ST24E32B3

4KX8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.25 MM LEAD FRAME, SKINNY, PLASTIC, DIP-8

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ST(意法半导体)
零件包装代码
DIP
包装说明
0.25 MM LEAD FRAME, SKINNY, PLASTIC, DIP-8
针数
8
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
最大时钟频率 (fCLK)
0.4 MHz
数据保留时间-最小值
40
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节
1010DDDR
JESD-30 代码
R-PDIP-T8
JESD-609代码
e0
长度
9.55 mm
内存密度
32768 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
8
字数
4096 words
字数代码
4000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
4KX8
输出特性
OPEN-DRAIN
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
SERIAL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.9 mm
串行总线类型
I2C
最大待机电流
0.0001 A
最大压摆率
0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
MOS
温度等级
AUTOMOTIVE
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)
10 ms
写保护
HARDWARE
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