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ST25E64M1

8KX8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.200 INCH, PLASTIC, SO-8

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
ST(意法半导体)
零件包装代码
SOIC
包装说明
SOP, SOP8,.3
针数
8
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
最大时钟频率 (fCLK)
0.4 MHz
数据保留时间-最小值
40
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节
1010DDDR
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e0
长度
5.3 mm
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
8
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8KX8
输出特性
OPEN-DRAIN
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
3/5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
2.03 mm
串行总线类型
I2C
最大待机电流
0.000005 A
最大压摆率
0.001 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
2.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
MOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
5.25 mm
最长写入周期时间 (tWC)
10 ms
写保护
HARDWARE
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