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STK12C68-L35M

8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CQCC28, CERAMIC, LCC-28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Cypress(赛普拉斯)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
QLCC
包装说明
QCCN, LCC28(UNSPEC)
针数
28
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
3A001.A.2.C
最长访问时间
35 ns
其他特性
EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/10000 CYCLES
JESD-30 代码
R-CQCC-N28
JESD-609代码
e0
长度
13.97 mm
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
NON-VOLATILE SRAM
内存宽度
8
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
28
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
8KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
QCCN
封装等效代码
LCC28(UNSPEC)
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
240
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度
2.29 mm
最大待机电流
0.003 A
最大压摆率
0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
8.89 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与STK12C68-L35M相近的元器件有:STK12C68-L45M、STK12C68-C35M、STK12C68-C45M、STK12C68-C55M、STK12C68-L55M。描述及对比如下:
型号 STK12C68-L35M STK12C68-L45M STK12C68-C35M STK12C68-C45M STK12C68-C55M STK12C68-L55M
描述 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, CQCC28, CERAMIC, LCC-28 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 55ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 55ns, CQCC28, CERAMIC, LCC-28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 QLCC QLCC DIP DIP DIP QLCC
包装说明 QCCN, LCC28(UNSPEC) QCCN, LCC28(UNSPEC) DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.3 QCCN, LCC28(UNSPEC)
针数 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 35 ns 45 ns 35 ns 45 ns 55 ns 55 ns
其他特性 EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/10000 CYCLES EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/10000 CYCLES EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/10000 CYCLES EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/10000 CYCLES EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/10000 CYCLES EEPROM HARDWARE/SOFTWARE STORE; SOFTWARE RECALL; RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/10000 CYCLES
JESD-30 代码 R-CQCC-N28 R-CQCC-N28 R-CDIP-T28 R-CDIP-T28 R-CDIP-T28 R-CQCC-N28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 13.97 mm 13.97 mm 35.56 mm 35.56 mm 35.56 mm 13.97 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QCCN QCCN DIP DIP DIP QCCN
封装等效代码 LCC28(UNSPEC) LCC28(UNSPEC) DIP28,.3 DIP28,.3 DIP28,.3 LCC28(UNSPEC)
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240 240 240 240
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度 2.29 mm 2.29 mm 4.14 mm 4.14 mm 4.14 mm 2.29 mm
最大待机电流 0.003 A 0.003 A 0.003 A 0.003 A 0.003 A 0.003 A
最大压摆率 0.085 mA 0.08 mA 0.085 mA 0.08 mA 0.075 mA 0.075 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD DUAL DUAL DUAL QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 8.89 mm 8.89 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 8.89 mm
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 - -
湿度敏感等级 3 3 3 3 - -
厂商名称 - - Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)
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