T13N800COB

Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 800V V(DRM),

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器件参数

参数名称

属性值

Objectid

101735269

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

标称电路换相断开时间

60 µs

关态电压最小值的临界上升速率

50 V/us

最大直流栅极触发电流

30 mA

最大直流栅极触发电压

2 V

最大维持电流

80 mA

通态非重复峰值电流

150 A

最大通态电压

1.8 V

最大通态电流

13000 A

最高工作温度

125 °C

最低工作温度

-40 °C

断态重复峰值电压

800 V

表面贴装

触发设备类型

SCR

参数对比

与T13N800COB相近的元器件有：T13N100COB、T13N500COB、T13N600COB、T13N900COB。描述及对比如下：

型号	T13N800COB	T13N100COB	T13N500COB	T13N600COB	T13N900COB
描述	Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 800V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 100V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 500V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 600V V(DRM),	Silicon Controlled Rectifier, 13000mA I(T), 900V V(DRM),
Objectid	101735269	101735191	101735242	101735251	101735278
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
标称电路换相断开时间	60 µs	60 µs	60 µs	60 µs	60 µs
关态电压最小值的临界上升速率	50 V/us	50 V/us	50 V/us	50 V/us	50 V/us
最大直流栅极触发电流	30 mA	30 mA	30 mA	30 mA	30 mA
最大直流栅极触发电压	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大维持电流	80 mA	80 mA	80 mA	80 mA	80 mA
通态非重复峰值电流	150 A	150 A	150 A	150 A	150 A
最大通态电压	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
最大通态电流	13000 A	13000 A	13000 A	13000 A	13000 A
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
断态重复峰值电压	800 V	100 V	500 V	600 V	900 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR
最大漏电流	-	3 mA	3 mA	3 mA	3 mA