N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T3159N
Elektrische
T
Eigenschaften
= -40°C... T
vj
vj max
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T
vj
= -40°C... T
vj max
enndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
C
= 85 °C
T
C
= 59 °C
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
th
5.Kennbuchstabe / 5 letter F
V
DRM
,V
RRM
1200
1400
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
1200
1400
1300
1500
1600 V
1800 V
1600 V
1800 V
1700 V
1900 V
7000 A
3160 A
4460 A
63000 A
57000 A
1)
T
vj
= +25°C... T
vj max
19845 10³ A²s
16245 10³ A²s
200 A/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
1000A
≤
i
T
≤
15000 A
on-state characteristic
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 14 kA
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 6 kA
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
v
T
V
(TO)
r
T
A=
B=
C=
D=
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
max.
max.
2,04 V
1,37 V
0,85 V
0,082 mΩ
v
T
=
A
+
B
⋅
i
T
+
C
⋅
ln ( i
T
+
1)
+
D
⋅
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
i
T
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V
T
vj
= 25 °C, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 12V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V
7,280E-01
7,670E-05
7,743E-03
1,570E-03
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
250 mA
2,5 V
10 mA
5 mA
0,25 V
300 mA
1500 mA
250 mA
4 µs
T
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
GK
≥
10
Ω
I
L
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20 µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
DIN IEC 60747-6
t
gd
T
vj
= 25 °C, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
1) Gehäusegrenzstrom I
RSM(case)
= 38kA (50Hz Sinushalbwelle) / Peak case non rupture current I
RSM(case)
= 38kA (50Hz sinusoidal half-wave)
prepared by: H.Sandmann
approved by: J.Przybilla
date of publication:
revision:
2007-09-03
1
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T3159N
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
θ
= 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
θ
= 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
th
4.Kennbuchstabe / 4 letter O
t
q
typ.
250
µs
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0085
0,0078
0,0152
0,0146
0,0183
0,0169
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
0,0025 °C/W
0,0050 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Steueranschlüsse
control terminals
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
Gate
Kathode / cathode
G
F
Seite 3
page 3
42...95
A 2,8x0,8
A 4,8x0,8
typ.
kN
1200 g
30 mm
50 m/s²
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T3159N
Maßbild
x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)
4 5
1
2
1:
Anode / Anode
2:
Kathode / Cathode
4:
Gate
5:
Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T3159N
R,t – Werte
Diagramme
Kühlung /
Diagramme
Cooling
beidseitig
two-sided
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
R
thn
[°C/W]
Trans. Wärmewid. beidseitig
0,00003
0,00039
0,00123
0,00280
0,00006
0,00001
0,00001
0,00003
0,00004
0,00392
0,00037
0,00182
0,00073
0,00341
0,01520
0,00190
0,00951
0,00302
0,02150
0,20680
0,00130
0,13500
0,00802
0,13500
1
2
3
4
5
6
-
-
0,00668
1,54000
-
-
-t
7
-
-
-
-
-
-
0,00338
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
1,09140
0,00434
0,34700
0,00510
1,11000
n
max
n=1
anodenseitig
anode-sided
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
τ
n
[s]
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
=
Σ
R
thn
1
−
e
τ
n
0,018
0,016
0,014
Z
thJC
[°C/W]
0,012
0,010
0,008
0,006
0,004
0,002
0,000
0,001
0,01
0,1
1
10
c
a
b
t [s]
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC /Transient thermal impedance for DC
Z
thJC
= f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T3159N
Durchlasskennlinie
Θ
= 180°
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
0,00084
0,00069
Θ
= 120°
0,00130
0,00093
Erhöhung des Z
th DC
bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln
Θ
Rise of Z
th DC
for sinewave and rectangular current with different current conduction angles
Θ
∆Z
th
Θ
rec
/
∆Z
th
Θ
sin
Kühlung / Cooling
Θ
= 90°
0,00161
0,00120
Θ
= 60°
0,00201
0,00156
Θ
= 30°
0,00259
0,00208
beidseitig
two-sided
0,00143
0,00228
0,00288
0,00371
0,00492
anodenseitig
anode-sided
0,00112
0,00170
0,00144
0,00154
0,00261
0,00191
0,00208
0,00322
0,00246
0,00289
0,00399
0,00321
0,00425
0,00506
0,00430
kathodenseitig
cathode-sided
Z
th
Θ
rec
= Z
th DC
+
∆Z
th
Θ
rec
Z
th
Θ
sin
= Z
th DC
+
∆Z
th
Θ
sin
20.000
15.000
T
vj
= T
vj max
i
T
[A]
10.000
5.000
0
0,7
0,9
1,1
1,3
V
T
[V]
1,5
1,7
1,9
2,1
2,3
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj max
SZ-MA / 10.Februar 98, K.-A.Rüther
A 103/98
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