T7S0026504DN,T7S0026504DN pdf中文资料,T7S0026504DN引脚图,T7S0026504DN电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与T7S0026504DN相近的元器件有：T7S0126504DN、T7S0106504DN、T7S0086504DN、T7S0046504DN、T7S0146504DN。描述及对比如下：

型号	T7S0026504DN	T7S0126504DN	T7S0106504DN	T7S0086504DN	T7S0046504DN	T7S0146504DN
描述	Silicon Controlled Rectifier, 1125A I(T)RMS, 650000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, HERMETIC PACKAGE-3	Silicon Controlled Rectifier, 1125A I(T)RMS, 650000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, HERMETIC PACKAGE-3	Silicon Controlled Rectifier, 1125A I(T)RMS, 650000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, HERMETIC PACKAGE-3	Silicon Controlled Rectifier, 1125A I(T)RMS, 650000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, HERMETIC PACKAGE-3	Silicon Controlled Rectifier, 1125A I(T)RMS, 650000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, HERMETIC PACKAGE-3	Silicon Controlled Rectifier, 1125A I(T)RMS, 650000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, HERMETIC PACKAGE-3
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
包装说明	DISK BUTTON, O-CXDB-X3	DISK BUTTON, O-CXDB-X3	DISK BUTTON, O-CXDB-X3	DISK BUTTON, O-CXDB-X3	DISK BUTTON, O-CXDB-X3	DISK BUTTON, O-CXDB-X3
针数	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknown	unknown	unknown	unknow
标称电路换相断开时间	150 µs	150 µs	150 µs	150 µs	150 µs	150 µs
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率	300 V/us	300 V/us	300 V/us	300 V/us	300 V/us	300 V/us
最大直流栅极触发电流	150 mA	150 mA	150 mA	150 mA	150 mA	150 mA
最大直流栅极触发电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
JESD-30 代码	O-CXDB-X3	O-CXDB-X3	O-CXDB-X3	O-CXDB-X3	O-CXDB-X3	O-CXDB-X3
最大漏电流	30 mA	30 mA	30 mA	30 mA	30 mA	30 mA
通态非重复峰值电流	9000 A	9000 A	9000 A	9000 A	9000 A	9000 A
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
最大通态电流	650000 A	650000 A	650000 A	650000 A	650000 A	650000 A
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大均方根通态电流	1125 A	1125 A	1125 A	1125 A	1125 A	1125 A
断态重复峰值电压	200 V	1200 V	1000 V	800 V	400 V	1400 V
重复峰值反向电压	200 V	1200 V	1000 V	800 V	400 V	1400 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
端子位置	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR
厂商名称	POWEREX	-	POWEREX	POWEREX	POWEREX	POWEREX

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苹果停止iOS 14.2和iOS 14.2.1的签名更新验证

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PLC与变频器三种通讯连接方法解析

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【维科杯】顺丰科技参评“维科杯·OFweek 2023中国机器人行业年度应用创新奖”

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数码达人评测小萌机器人：科技与人性交互的教育产品

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了解下示波器的发展、作用及使用教程、具体测试方法

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AirPods 3定价略贵充电盒还与前代不兼容

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DigiKey 在 2023 年上半年新增 300 多家供应商

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LG二季度财报：智能机出货1390万台

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单片机中的软硬件防干扰方法

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机载大功率射频同轴继电器的工作原理及设计方案分析

一、引言随着科学技术快速发展，航空航天领域使用的射频同轴继电器数量越来越多，对其耐恶劣环境条件和严酷力学条件要求也越来越高。和地面应用不同，对应用于机载的大功率射频同轴继电器有许多特殊要求： 1）驱动电流小、功耗低。可以节省有限的能源，减少系统发热。 2）重量轻。可以提高整机的有效载荷、飞行速度、续航距离、机动性能。 3）环境（低温、高温、电磁干扰、振动、低气压）适应能力强。 4）大功率。功...[详细]
人工智能时代，如何做到内容为王？

近日，短视频 APP 成为众矢之的。因相关短视频内容涉未成年人低俗不良信息，国家网信办相继约谈了快手和今日头条旗下火山小视频相关负责人，提出严肃批评并责令全面整改。之后，微信、QQ也将在互联网短视频整治期间暂停短视频APP外链直接播放功能，涉及的APP包括微视、快手、抖音、西瓜视频等。新媒体时代，用户每天生产的内容都在爆发式增长，在这些新生产的内容里通常存在着大量的不良内容，会使得用户产...[详细]
富士康显示面板工厂或落户威斯康辛州总金额超100亿美元

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高通CEO雅克布斯称对中国反垄断调查不知情

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工业控制系统的特点有哪些工业控制系统的组成有哪些

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